GD900HFA120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =90 O C

900

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1800

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

3409

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

900

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1800

ა

I FSM

წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T ჯ =25 O C @ ტ ჯ =150 O C

4100

3000

ა

I 2T

I 2t-ღირებულება,t პ =10ms @ T ჯ =25 O C

@ ტ ჯ =150 O C

84000

45000

ა 2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =900A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.40

1.85

V

I C =900A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.60

I C =900A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 O C

1.65

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

51.5

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.36

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

13.6

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A, r g =0.51Ω, L s =40nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T ჯ =25 O C

330

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

842

n

T F

შემოდგომის დრო

84

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

144

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

87.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A, r g =0.51Ω, L s =40nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T ჯ =125 O C

373

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

155

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

915

n

T F

შემოდგომის დრო

135

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

186

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

104

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A, r g =0.51Ω, L s =40nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T ჯ =175 O C

390

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

172

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

950

n

T F

შემოდგომის დრო

162

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

209

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

114

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤8μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 ვოლტი

3200

ა

T პ ≤6μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 ვოლტი

3000

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =900A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.55

2.00

V

I F =900A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

1.65

I F =900A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75O C

1.55

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T ჯ =25 O C

91.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

441

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.3

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T ჯ =125 O C

141

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

493

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

42.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T ჯ =175 O C

174

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

536

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

52.4

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.044

0.076

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.028

0.049

0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

350

g