მოკლე შესავალი
IGBT მოდული, წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 900A.
თვისებები
ტიპიური აპლიკაციები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები TC=25OC თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
სიმბოლო | აღწერა | მნიშვნელობები | UNIT |
VCES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1200 | V |
Vგენერალური საწვავის სისტემა | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | V |
IC | კოლექტორის დენი @ TC=90OC | 900 | ა |
ICM | პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms | 1800 | ა |
პD | მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=175OC | 3409 | W |
დიოდი
სიმბოლო | აღწერა | მნიშვნელობები | UNIT |
VRRM | მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვამოწოდება | 1200 | V |
IF | დიოდი უწყვეტი წინქირაობა | 900 | ა |
IFM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms | 1800 | ა |
IFSM | წინგადაცემული დენი tპ=10ms @Tჯ=25OC @ ტჯ=150OC | 4100 3000 | ა |
I2T | I2t-ღირებულება,tპ=10ms @ Tჯ=25OC @ ტჯ=150OC | 84000 45000 | ა2s |
მოდული
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | UNIT |
Tjmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 175 | OC |
Tჯოპი | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +150-მდე | OC |
Tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი | -40-დან +125-მდე | OC |
VISO | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V |
IGBT მახასიათებლები TC=25OC თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
VCE ((sat) |
შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | IC=900A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=25OC |
| 1.40 | 1.85 |
V |
IC=900A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=125OC |
| 1.60 |
| |||
IC=900A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=175OC |
| 1.65 |
| |||
Vგენერალური საწარმოები(th) | ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი | IC=24.0mA,VCE=Vგენერალური საწარმოები, Tჯ=25OC | 5.5 | 6.3 | 7.0 | V |
ICES | კოლექციონერი გადაჭრილი-გათიშული დიდება | VCE=VCES,Vგენერალური საწარმოები=0V, Tჯ=25OC |
|
| 1.0 | mA |
Iგენერალური საწვავის სისტემა | კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება | Vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემა,VCE=0V,Tჯ=25OC |
|
| 400 | nA |
rგინტი | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური |
|
| 0.5 |
| Ω |
Cies | შეყვანის სიმძლავრე | VCE=25V,f=100kHz, Vგენერალური საწარმოები=0V |
| 51.5 |
| NF |
Cres | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
| 0.36 |
| NF | |
Qg | კარიბჭის გადასახადი | Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ. 15…+15V |
| 13.6 |
| μC |
TD(ჩართული) | ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600 ვოლტი,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, Vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V, Tჯ=25OC |
| 330 |
| n |
Tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 140 |
| n | |
Td(off) | გამორთვა დაყოვნების დრო |
| 842 |
| n | |
TF | შემოდგომის დრო |
| 84 |
| n | |
Eჩართული | ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
| 144 |
| mJ | |
Eგათიშული | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 87.8 |
| mJ | |
TD(ჩართული) | ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600 ვოლტი,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, Vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V, Tჯ=125OC |
| 373 |
| n |
Tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 155 |
| n | |
Td(off) | გამორთვა დაყოვნების დრო |
| 915 |
| n | |
TF | შემოდგომის დრო |
| 135 |
| n | |
Eჩართული | ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
| 186 |
| mJ | |
Eგათიშული | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 104 |
| mJ | |
TD(ჩართული) | ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600 ვოლტი,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, Vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V, Tჯ=175OC |
| 390 |
| n |
Tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 172 |
| n | |
Td(off) | გამორთვა დაყოვნების დრო |
| 950 |
| n | |
TF | შემოდგომის დრო |
| 162 |
| n | |
Eჩართული | ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
| 209 |
| mJ | |
Eგათიშული | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 114 |
| mJ | |
ISC |
ს.კ. მონაცემები | Tპ≤8μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=150OC,VCC=800V, VCEM ≤1200 ვოლტი |
|
3200 |
|
ა |
Tპ≤6μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=175OC,VCC=800V, VCEM ≤1200 ვოლტი |
|
3000 |
|
ა |
დიოდი მახასიათებლები TC=25OC თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | ერთეულები |
VF | დიოდი წინ ვოლტი | IF=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25OC |
| 1.55 | 2.00 |
V |
IF=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=125OC |
| 1.65 |
| |||
IF=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=175OC |
| 1.55 |
| |||
Qr | აღდგენილი გადასახადი |
Vr=600 ვოლტი,IF=900A, -di/dt=4930A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V,Ls=40nH,Tჯ=25OC |
| 91.0 |
| μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 441 |
| ა | |
Eრეკ | საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
| 26.3 |
| mJ | |
Qr | აღდგენილი გადასახადი |
Vr=600 ვოლტი,IF=900A, -di/dt=4440A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V,Ls=40nH,Tჯ=125OC |
| 141 |
| μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 493 |
| ა | |
Eრეკ | საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
| 42.5 |
| mJ | |
Qr | აღდგენილი გადასახადი |
Vr=600 ვოლტი,IF=900A, -di/dt=4160A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V,Ls=40nH,Tჯ=175OC |
| 174 |
| μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 536 |
| ა | |
Eრეკ | საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
| 52.4 |
| mJ |
NTC მახასიათებლები TC=25OC თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
r25 | ნომინირებული წინააღმდეგობა |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | გადახრა of r100 | TC=100 OC,R100= 493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
პ25 | ენერგია გამოტაცია |
|
|
| 20.0 | მვთ |
B25/50 | B-მასპინძელი | r2=R25exp[ბ]25/501/T2- 1⁄298.15K))] |
| 3375 |
| კ |
B25/80 | B-მასპინძელი | r2=R25exp[ბ]25/801/T2- 1⁄298.15K))] |
| 3411 |
| კ |
B25/100 | B-მასპინძელი | r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- 1⁄298.15K))] |
| 3433 |
| კ |
მოდული მახასიათებლები TC=25OC თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
LCE | ცარიელი ინდუქტენტობა |
| 20 |
| nH |
rCC+EE | მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე |
| 0.80 |
| mΩ |
rthJC | კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი) |
|
| 0.044 0.076 | კვ/ვ |
rthCH | კეისზე-თბოსინქზე (თითოIGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითოდიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული) |
| 0.028 0.049 0.009 |
| კვ/ვ |
M | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.m |
g | წონა of მოდული |
| 350 |
| g |
ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
