IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD1200SGT120A3S

ერთეულები

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

Vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის მიმდინარე @TC=25°C

@ ტC=80°C

2100

1200

ა

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1Ms

2400

ა

IF

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

1200

ა

IFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

2400

ა

პD

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=175°C

7.61

kW

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

Tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

2500

V

დაყენება ტორქი

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.8 დან 2.1

ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8

8.0 დან 10

N.m

დამონტაჟების შრიფტი:M6

4.25 დან 5.75

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

Tჯ=25°C

1200

V

ICES

კოლექციონერი გადაჭრილი-გათიშული

დიდება

VCE=VCES,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25°C

5.0

mA

Iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

Vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემა,VCE=0V, Tჯ=25°C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

Vგენერალური საწარმოები(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

IC=48mA,VCE=Vგენერალური საწარმოები, Tჯ=25°C

5.0

5.8

6.5

V

VCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC= 1200A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=25°C

1.70

2.15

V

IC= 1200A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=125°C

2.00

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=1200A,

rგონ=1.8Ω,rგოფ=0.62Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25°C

550

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

230

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

830

n

TF

შემოდგომის დრო

160

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

/

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

/

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC= 1200A,    

rგონ= 1.8Ω,Rგოფ=0.62Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125°C

650

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

240

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

970

n

TF

შემოდგომის დრო

190

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

246

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

189

mJ

Cies

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

Vგენერალური საწარმოები=0V

85.5

NF

Coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

4.48

NF

Cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

3.87

NF

ISC

ს.კ. მონაცემები

Tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 V,

Tჯ=125°C,

VCC=900 ვოლტი, VCEM≤1200V

4800

ა

rგინტი

შიდა კარიბჭე

გამძლეობა

1.9

Ω

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

rCC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.10

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

VF

დიოდი წინ

ვოლტი

IF= 1200A

Tჯ=25°C

1.65

2.05

V

Tჯ=125°C

1.65

Qr

აღდგენილი

დავალება

IF= 1200A,

Vr=600V,

rგონ=0.6Ω,

Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

Tჯ=25°C

112

μC

Tჯ=125°C

224

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

Tჯ=25°C

850

ა

Tჯ=125°C

1070

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

Tჯ=25°C

48.0

mJ

Tჯ=125°C

96.0

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

rθჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

19.7

K/kW

rθჟ.კ.

კვანძები (D-ზე)იოდი)

31.3

K/kW

rθCS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია)ტყუილი)

8

K/kW

წონა

წონა     მოდული

1050

g