IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=25OC

1.90

2.35

V

IC=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=125OC

2.35

IC=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tჯ=150OC

2.45

Vგენერალური საწარმოები(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

IC=24.0mA,VCE=Vგენერალური საწარმოები, Tჯ=25OC

5.6

6.2

6.8

V

ICES

კოლექციონერი გადაჭრილი-გათიშული

დიდება

VCE=VCES,Vგენერალური საწარმოები=0V,

Tჯ=25OC

5.0

mA

Iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

Vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემა,VCE=0V,Tჯ=25OC

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

2.3

Ω

Cies

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

Vგენერალური საწარმოები=0V

72.3

NF

Cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.75

NF

Qg

კარიბჭის გადასახადი

Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ. 15…+15V

5.66

μC

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=650A,     rგონ= 1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25OC

468

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

850

n

TF

შემოდგომის დრო

363

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

226

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

161

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=650A,     rგონ= 1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ= 125OC

480

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

110

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1031

n

TF

შემოდგომის დრო

600

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

338

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

226

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=650A,     rგონ= 1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ= 150OC

480

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1040

n

TF

შემოდგომის დრო

684

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

368

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

242

mJ

ISC

ს.კ. მონაცემები

Tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

Tჯ=150OC,VCC= 1000V,VCEM≤1700V

2600

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VF

დიოდი წინ

ვოლტი

IF=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25OC

1.85

2.30

V

IF=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ= 125OC

1.98

IF=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ= 150OC

2.02

Qr

აღდგენილი გადასახადი

Vr=900V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ. 15VTჯ=25OC

176

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

765

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

87.4

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

Vr=900V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ. 15V Tჯ= 125OC

292

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

798

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

159

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

Vr=900V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ. 15V Tჯ= 150OC

341

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

805

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

192

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r100

TC= 100 OC,R100= 493.3Ω

-5

5

%

პ25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2-

1⁄298.15K))]

3433

კ