GD650HFX170P1S,IGBT მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =650A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.90

2.35

V

I C =650A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.35

I C =650A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.45

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.3

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

72.3

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.75

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

5.66

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =650A, r გონ = 1.8Ω,R გოფ =2.7Ω, V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 O C

468

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

850

n

T F

შემოდგომის დრო

363

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

226

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

161

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =650A, r გონ = 1.8Ω,R გოფ =2.7Ω, V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ = 125O C

480

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

110

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

1031

n

T F

შემოდგომის დრო

600

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

338

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

226

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =650A, r გონ = 1.8Ω,R გოფ =2.7Ω, V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ = 150O C

480

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

1040

n

T F

შემოდგომის დრო

684

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

368

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

242

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =650A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.85

2.30

V

I F =650A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.98

I F =650A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

2.02

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

176

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

765

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

87.4

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

292

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

798

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

159

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

341

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

805

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

192

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ