IGCT 4500V

სიმბოლო- ნვ.ნომერი

参数名称

ხაზი           ნაწილი

მინიმალური

ტიპიური

მაქსიმალური

单位

v_{- ნვ.DRM}

გამორთვის განმეორებითი პიკური ძაბვა

კარიბჭის ერთეული ჩართული,tVJ=125°C,i- ნვ.D≤i- ნვ.DRM,tp=10ms

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

4500

v

i- ნვ._DRM

გამორთვის განმეორებითი პიკური დენი

კარიბჭის ერთეული ჩართული,tVJ=125°C,vD=v- ნვ.DRM,tp=10ms

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

50

mA

v_DClink

შუა დირქტული ძაბვა

კარიბჭის ერთეული ჩართული, 100FITდაკარგვის მაჩვენებლის მიერ დაშვებული შუა დირქტულიდენი- ნვ.ძაბვა

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

2800

v

v_RRM

უკუქცევითი ძაბვა

/

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

17

v

სიმბოლო- ნვ.ნომერი

პარამეტრიკალენდარინომერიკალენდარისახელიკალენდარიდასახელება

ხაზი           ნაწილი

მაქსიმალური- ნვ.მინიმალური

ტიპიური- ნვ.ტიპი

მაქსიმალური- ნვ.დიდი

ერთეული- ნვ.მდე

iT(AV)კალენდარიiT(RMS)

ჩართული მდგომარეობის საშუალო დენი

ჩართული მდგომარეობის RMS დენი

tC = 85°C,წარმოების ნახევარწვერა,ორმხრივი გაგრილება

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

1700

2670

a

a

iTSM

i- ნვ.2t

ჩართული მდგომარეობის არ განმეორებითი აფეთქების დენი

დენის კვადრატული დროის პროდუქტი

tVJ=125°C,წარმოების ნახევარწვერა, 10ms,vD=vR=0

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

32

512

KA

104A2s

vTM

ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

tVJ=125°C,i- ნვ.T = 4000A

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

2.70

v

vბარემ

rt

ზღვრების ძაბვა

დახრილი წინააღმდეგობა

tVJ=125°C,i- ნვ.T = 1000...4000A

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

1.40

0.325

v

mΩ

სიმბოლო- ნვ.ნომერი

პარამეტრი- ნვ.ნომერი- ნვ.სახელი- ნვ.დასახელება

ხაზინაწილი

მაქსიმალური- ნვ.მინიმალური

ტიპიური- ნვ.ტიპი

მაქსიმალური- ნვ.დიდი

ერთეული- ნვ.მდე

დit/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის მაჩვენებელი

tVJ=125°C,i- ნვ.T = 4000A,

vD = 2800V, f = 0..500Hz

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

1000

A/μS

tdon

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

3

μs

tdonSF

ჩართვის უკუკავშირი დაგვიანების დრო

T VJ = 125℃, I T = 4000A, V D = 2800V,

di /dt = V D/L i , C CL = 10μF, R S = 0.4Ω,

L i = 3μH, L CL = 0.3μH

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

7

μs

t- ნვ.r

ანოდის ძაბვის დაცემის დრო

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

1

μs

ე- ნვ.თეთრი

ერთჯერადი პულსური ჩართვის ენერგია

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

1.5

ჯ

სიმბოლოკალენდარინომერი

პარამეტრიკალენდარინომერიკალენდარისახელიკალენდარიდასახელება

ხაზი             ნაწილი

მაქსიმალური- ნვ.მინიმალური

ტიპიური- ნვ.ტიპი

მაქსიმალური- ნვ.დიდი

ერთეული- ნვ.მდე

iTGQM

მაქსიმალური გამორთვის დენი

tVJ = 125°C,v- ნვ.DM ≤- ნვ.v- ნვ.DRM, vD = 2800V,

- ნვ.- ნვ.CL = 0.3μH, c- ნვ.CL = 10μF, r- ნვ.S = 0.4Ω

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

4000

a

t_doff

t_doffSF

t_f

ე_{გათიშული}

关断延迟时间

გამორთვის უკუკავშირის დაგვიანების დრო

დასვენების დრო

ერთჯერადი პულსის გამორთვის ენერგია

tVJ=125°C,i- ნვ.TGQ = 4000A, vD = 2800V,

v- ნვ.DM ≤v- ნვ.DRM, c- ნვ.CL = 10μF, r- ნვ.S = 0.4Ω,

- ნვ.- ნვ.i = 3μH, - ნვ.- ნვ.CL = 0.3μH

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

7

μs

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

7

1

μs

μs

- ნვ ჱნამ.

19.5

23

ჯ

სიმბოლო- ნვ.ნომერი

参数名称

ხაზი             ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

Tvj

სამუშაო结温范围

- ნვ.

0

- ნვ ჱნამ.

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

/

0

- ნვ ჱნამ.

60

°C

TAMB

გარემოს ტემპერატურის დიაპაზონი

- ნვ.

0

- ნვ ჱნამ.

50

°C

R thJC

结壳热阻

ორმხრივი გაგრილება

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

0.0085

კვ/ვ

R thCH

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

0.0030

კვ/ვ

სიმბოლო- ნვ.ნომერი

参数名称

ხაზი             ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

კალენდარიvGIN- ნვ.RMS

პ- ნვ.GIN- ნვ.მაქს

iGIN- ნვ.მნ

iGIN- ნვ.მაქს

x- ნვ.1

კარის მართვის შესავალი ძაბვა

კარის მართვის მაქსიმალური ენერგიის მოხმარება

კარის მართვის მინიმალური შესავალი დენი

კარის მართვის დენის შეზღუდვა

კარის ერთეულის დენის ინტერფეისი

მუდმივი დენი ან ცვალებადი დენი(15kHz~100kHz)ამპლიტუდა, იგივე ენერგიის წრეში არ არის ელექტრო იზოლაცია- ნვ.დაშორება

/

კარის მართვის ჩართვის დროს, გაწვდილი მინიმალური საშუალო დენი

კარის მართვის შეზღუდვის ქვეშ, სტაბილიზაციის შემდეგ საშუალო დენი

/

28

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

2.1

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

40

100

- ნვ ჱნამ.

8

v

w

a

a

AMP:MTA-156

ton(min)

t- ნვ.off(min)

მინიმალური გამტარობის დრო

მინიმალური გამორთვის დრო

/

40

40

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

μs

μs

პ- ნვ.თეთრი- ნვ.CS

CS ოპტიკური შესავალი ენერგია

- ნვ.

-15

- ნვ ჱნამ.

-1

dbm

პ- ნვ.გათიშული- ნვ.CS

პ- ნვ.თეთრი- ნვ.SF

CSოპტიკური ხმაურის ენერგია

SFოპტიკური გამავალი ენერგია

შესაფერისი1 მმპლასტიკური ოპტიკური ბოჭკოსთვის(POF)

- ნვ ჱნამ.

-19

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

-45

-1

dbm

dbm

პ- ნვ.გათიშული- ნვ.SF

SFოპტიკური ხმაურის ენერგია

- ნვ.

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

-50

dbm

t- ნვ.GLITCH

t- ნვ.რეტრიგი

პულსის სიგრძის კრიტიკული მნიშვნელობა

გარე ხელახალი გაწვდვის პულსის სიგრძე

უპასუხო მაქსიმალური პულსის სიგრძე

- ნვ ჱნამ.

700

- ნვ ჱნამ.

- ნვ ჱნამ.

400

1100

n

n

/

CS

SF

კონტროლის სიგნალის მიმღები

მდგომარეობის უკუკავშირის გამგზავნი

Agilent, მოდელიHFBR-2528

Agilent, მოდელიHFBR-1528

LED1(მწვანე)

კარის გამორთვა

ნათება მიუთითებსGCTგამორთვა

LED2(ყვითელი)

კარის ჩართვა

ნათება მიუთითებსGCTკარის ჩართვა

LED3(წითელი)

故კალენდარი障

ნათება მიუთითებს, რომ კარის მართვის კონდენსატორის ჯგუფის ძაბვა გადაჭარბებულია, კარის მართვის ძაბვაბრძანების სიგნალთან შეუთავსებელი ანGCTკარის კატოდის მოკლე ჩართვა