1200A,600V~1800V,412F3
პრეპარატის ბროშურა:გადმოწერეთ
მოკლე შესავალი
თირისტორი/დიოდის მოდული,MTx1200,MFx1200，1200ა,ჰაერის გაგრილება,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM,VDRM | ტიპი და კონტური | |
600V | MT3 სათამაშო | MFx1200-06-412F3 |
800V | MT3 სათამაშო | MFx1200-08-412F3 |
1000 ვოლტი | MT3 სათამაშო | MFx1200-10-412F3 |
1200 ვოლტი | MT3 სათამაშო | MFx1200-12-412F3 |
1400V | MT3 სათამაშო | MFx1200-14-412F3 |
1600V | MT3 სათამაშო | MFx1200-16-412F3 |
1800V | MT3 სათამაშო | MFx1200-18-412F3 |
1800V | MT1200-18-412F3G |
|
MTx ნიშნავს ნებისმიერტიპი MTC, MTA, MTK
MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპისe-ს MFC, MFA, MFK
თვისებები
ტიპიური გამოყენებები
სიმბოლო |
მახასიათებლები |
გამოცდის პირობები | Tj(°C) | ღირებულება |
UNIT | ||
მნ | ტიპი | მაქს | |||||
IT(AV) | საშუალო ჩართული მიმდინარე | 180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=60°C |
125 |
|
| 1200 | ა |
IT(RMS) | RMS აქტიური მიმდინარე |
|
| 1884 | ა | ||
ირმ ირმ | განმეორებითი პიკური დენი | VDRM-ზე VRRM-ზე | 125 |
|
| 55 | mA |
ITSM | სერჟი ჩართული მიმდინარე | VR=60%VRRM,,t=10ms ნახევარი სინუსი, | 125 |
|
| 26 | KA |
I2t | I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის | 125 |
|
| 3380 | 103ა2s | |
VTO | საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
| 0.70 | V |
რტ | ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
| 0.14 | mΩ | ||
VTM | პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა | ITM=3000A | 25 |
|
| 1.96 | V |
dv/dt | გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μS |
di/dt | ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე | გეითის წყარო 1.5A tr ≤0.5μs განმეორებითი | 125 |
|
| 200 | A/μS |
IGT | კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA=12V, IA=1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | კარების ტრიგერის ძაბვა | 0.8 |
| 3.0 | V | ||
IH | შენარჩუნების მიმდინარე | 10 |
| 200 | mA | ||
IL | ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
| 1500 | mA | ||
VGD | არატრიგერის კარების ძაბვა | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | V |
Rth(j-c) | თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე | 180-ზე°ჟსინ. ერთპიროვნული გაგრილება ჩიპი |
|
|
| 0.048 | °C/W |
Rth(c-h) | თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე | 180-ზე°ჟსინ. ერთპიროვნული გაგრილება ჩიპი |
|
|
| 0.020 | °C/W |
VISO | იზოლაციის ძაბვა | 50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ) |
| 3000 |
|
| V |
FM | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12) |
|
| 12.0 |
| 16.0 | N·მ |
დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·მ | |
Tvj | ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | შენახვის ტემპერატურა |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | წონა |
|
|
| 3660 |
| g |
კონტური | 412F3 | ||||||
ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
