1000A,600V~1800V,411F3
პრეპარატის ბროშურა:გადმოწერეთ
მოკლე შესავალი
თირისტორი/დიოდის მოდულიe, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000ა,წყლის გაგრილება，ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM,VDRM | ტიპი და კონტური | |
600V 800V 1000 ვოლტი 1200 ვოლტი 1400V 1600V 1800V 1800V | MTx1000-06-411F3 MTx1000-08-411F3 MTx1000-10-411F3 MTx1000-12-411F3 MTx1000-14-411F3 MTx1000-16-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 | MFx1000-06-411F3 MFx1000-08-411F3 MFx1000-10-411F3 MFx1000-12-411F3 MFx1000-14-411F3 MFx1000-16-411F3 MFx1000-18-411F3 |
MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA, MTK MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MFC, MFA, MFK | ||
თვისებები
ტიპიური გამოყენებები
სიმბოლო |
მახასიათებლები |
გამოცდის პირობები | Tj(°C) | ღირებულება |
UNIT | ||
მნ | ტიპი | მაქს | |||||
IT(AV) | საშუალო ჩართული მიმდინარე | 180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55°C |
125 |
|
| 1000 | ა |
IT(RMS) | RMS აქტიური მიმდინარე |
|
| 1570 | ა | ||
ირმ ირმ | განმეორებითი პიკური დენი | VDRM-ზე VRRM-ზე | 125 |
|
| 55 | mA |
ITSM | სერჟი ჩართული მიმდინარე | VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი | 125 |
|
| 26.0 | KA |
I2t | I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის | 125 |
|
| 3380 | 103ა2s | |
VTO | საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
| 0.81 | V |
რტ | ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
| 0.21 | mΩ | ||
VTM | პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა | ITM=3000A | 25 |
|
| 2.05 | V |
dv/dt | გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μS |
di/dt | ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე | გეითის წყარო 1.5A tr ≤0,5μs განმეორებადი | 125 |
|
| 200 | A/μS |
IGT | კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | კარების ტრიგერის ძაბვა | 0.8 |
| 3.0 | V | ||
IH | შენარჩუნების მიმდინარე | 10 |
| 200 | mA | ||
IL | ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
| 1000 | mA | ||
VGD | არატრიგერის კარების ძაბვა | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | V |
Rth(j-c) | თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე | ერთპიროვნულად გაგრილებული ჩიპი |
|
|
| 0.048 | °C/W |
Rth(c-h) | თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე | ერთპიროვნულად გაგრილებული ჩიპი |
|
|
| 0.018 | °C/W |
VISO | იზოლაციის ძაბვა | 50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| V |
FM | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·მ |
დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·მ | |
Tvj | ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | შენახვის ტემპერატურა |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | წონა |
|
|
| 3230 |
| g |
კონტური | 411F3 | ||||||
ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
