IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD400CUT170C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორი-გამომცემლის ძაბვა @ T ჯ =25 °C

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C = 25°C

@ ტ C =80 °C

650

400

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

ა

პ tot

მთლიანი სიმძლავრის გაფანტვა @ ტ ჯ = 150°C

2403

W

T SC

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ T ჯ =150 °C

10

μs

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1700

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

3.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

I C = 16mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

2.00

2.45

V

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

2.40

სიმბოლო

აღწერა

GD400CUT170C2S

ერთეულები

V RRM

გამეორებითი პიკის საპირისპირო ძაბვა @ Tj=25 °C

1700

V

I F

DC წინასწარი დენი @ T C =80 °C

100

ა

I FRM

განმეორებითი პიკი წინასწარი დენი t პ =1ms

200

ა

I 2T

I 2t-მნიშვნელობა,V r =0V,T პ =1 0ms,T ჯ =125 °C

1800

ა 2s

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F = 100A,V გენერალური საწარმოები =0V

T ჯ =25 °C

1.80

2.20

V

T ჯ = 125°C

1.90

Q r

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

I F = 100A,

V r =900 ვოლტი,

di/dt=-2450A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V

T ჯ =25 °C

29.0

μC

T ჯ = 125°C

48.5

I RM

დიოდის პიკი

საპირისპირო აღდგენა დიდება

T ჯ =25 °C

155

ა

T ჯ = 125°C

165

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

15.5

mJ

T ჯ = 125°C

27.5

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულ ჟრანთჟკა, თმნალთ ნა ჟპჟკა @ ტ C =25 °C

0.35

M Ω

r θ ჟ.კ.

კერ-კეს-კეს

(IGBT ინვერტორი,მდე) 1/2 მოდი ლ)

0.052

კვ/ვ

კერ-კეს-კეს

(დიოდების საბრკოლე მოჭრის მოწყობილობა 1/2 მოდული)

0.280

r θ CS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი a პლიდი)

0.035

კვ/ვ

T ჯ

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

დაყენება

ტორქი

ელექტროენერგიის ტერმინალი შრიფტი:M6

2.5

5.0

N.m

დაყენება შრიფტი:M6

3.0

5.0

g

წონა of მოდული

300

g