IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

V მტვრი

ერთეულები

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის მიმდინარე @ TC=25℃

კოლექტორის მიმდინარე @ TC=80°C

5200

ა

3600

ICM(1)

პულსირებული კოლექტორის მიმდინარე tp= 1ms

7200

ა

IF

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

3600

ა

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმავალი დენი @ TC=80°C

7200

ა

PD

მაქსიმალური სიმძლავრის დაშლა @ Tj=175℃

20

kW

ტაი

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

დაყენება

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.8 დან 2.1

ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8

8.0 დან 10

N.m

ტორქი

დამონტაჟების შრიფტი:M6

4.25 დან 5.75

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

Tj=25°C

1700

V

ICES

კოლექტორის გამორთული დენი

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

nA

VGE ((თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

IC=145mA, VCE=VGE, Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

V

VCE (სატ)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V,Tj=125°C

2.40

2.85

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

VGE=-15...+15V

42.0

μC

RGint

შიდა კარიბჭის რეზისტორი

Tj=25°C

0.4

Ω

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

205

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1510

n

tf

შემოდგომის დრო

185

n

ეონ

ჩართვის დაკარგვა

498

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

1055

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

225

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1800

n

tf

შემოდგომის დრო

325

n

ეონ

ჩართვის დაკარგვა

746

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

1451

mJ

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

13.2

NF

კრეს

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

10.5

NF

ISC

ს.კ. მონაცემები

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125°C,VCC=1000V,VCEM ≤1700V

14000

ა

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

10

nH

RCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.12

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =3600A

T ჯ =25 °C

1.80

2.20

V

T ჯ =125 °C

1.90

2.30

Q r

აღდგენილი გადასახადი

I F =3600A,

V r =900 ვოლტი,

r გონ =0.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

836

μC

T ჯ =125 °C

1451

I RM

საპირისპირო აღდგენა დიდება

T ჯ =25 °C

2800

ა

T ჯ =125 °C

3300

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

590

mJ

T ჯ =125 °C

1051