IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25oC

კოლექტორის მიმდინარე @ TC=65oC

4446

3600

ა

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

7200

ა

PD

მაქსიმალური სიმძლავრის დაშლა @ Tj=175oC

15.3

kW

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

IF

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

3600

ა

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

7200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

^O C

ტჟოპ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

^O C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

^O C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VCE (სატ)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE ((თ)

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

V

ICES

კოლექტორის გათიშვა

დიდება

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

nA

RGint

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.53

Ω

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

კრეს

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

8.64

NF

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

VGE=+15…+15V

21.6

μC

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A,RG=0.5Ω,VGE=±15V,Tj=25oC

660

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

280

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1600

n

tf

შემოდგომის დრო

175

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დანარჩენი

650

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

1100

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A,RG=0.5Ω,VGE=±15V,Tj=125oC

740

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

290

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1800

n

tf

შემოდგომის დრო

315

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დანარჩენი

800

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

1500

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A,RG=0.5Ω,VGE=±15V,Tj=150oC

780

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

295

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1850

n

tf

შემოდგომის დრო

395

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დანარჩენი

900

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

1600

mJ

ISC

ს.კ. მონაცემები

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

KA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VF

დიოდი წინ

ვოლტი

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

V

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

2600

ა

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

490

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

3150

ა

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

950

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

3300

ა

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

1100

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

6.0

nH

RCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.12

mΩ

RthJC

შეხება კასესთან (IGBT-ის მიხედვით)

კოლოფიდან კოლოფამდე (დიოდების მიხედვით)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (IGBT-ის მიხედვით)

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით)

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით)

6.5

10.7

4.0

K/kW

M

ტერმინალის კავშირი ტორქი, ხრახნი M4 ტერმინალის კავშირი ტორქი, ხრახნი M8 მონტაჟის ტორქი, ხრახნი M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.m

g

მოდულის წონა

2300

g