IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

600

ა

I C

კოლექტორის დენი @ T F =85 O C

450

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T ჯ =175 O C

970

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ვოლტა გენერალური საწარმოები

1200

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

600

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10-იანებისათვის პერიოდში 30 წლის ასაკში, შემთხვევა მაქსიმუმ 3000-ჯერ სიცოცხლის განმავლობაში მე

-40-დან +150-მდე

+150-დან +175-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

D ჟრაპკა

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

9.0 9.0

მმ

D გასუფთავება

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

4.5 4.5

მმ

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

600

ა

I C

კოლექტორის დენი @ T F =85 O C

450

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T ჯ =175 O C

970

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ვოლტა გენერალური საწარმოები

1200

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

600

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10-იანებისათვის პერიოდში 30 წლის ასაკში, შემთხვევა მაქსიმუმ 3000-ჯერ სიცოცხლის განმავლობაში მე

-40-დან +150-მდე

+150-დან +175-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

D ჟრაპკა

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

9.0 9.0

მმ

D გასუფთავება

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

4.5 4.5

მმ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.40

V

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

1.65

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 O C

1.70

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.60

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

1.90

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =15.6 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

6.4

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.67

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

81.2

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.56

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.53

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CE =600 ვოლტი,I C =600A, V გენერალური საწარმოები =-8...+15 ვოლტი

5.34

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A,

r გონ =1.0Ω, r გოფ =2.2Ω, L s =22nH,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T ჯ =25 O C

290

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

81

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

895

n

T F

შემოდგომის დრო

87

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

53.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

47.5

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A,

r გონ =1.0Ω, r გოფ =2.2Ω, L s =22nH,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T ჯ =150 O C

322

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

103

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1017

n

T F

შემოდგომის დრო

171

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

84.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

63.7

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A,

r გონ =1.0Ω, r გოფ =2.2Ω, L s =22nH,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T ჯ =175 O C

334

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

104

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1048

n

T F

შემოდგომის დრო

187

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

89.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

65.4

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2000

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

V

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.75

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75O C

1.70

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.95

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.95

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75O C

1.90

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =22 nH ,T ჯ =25 O C

22.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

304

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

10.8

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =22 nH ,T ჯ =150 O C

46.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

336

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.2

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =22 nH ,T ჯ =175 O C

49.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

346

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

19.8

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.75

mΩ

△ პ

△ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C

64

მბარი

პ

მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

2.5

ბარი

r თი-ი-ფ

გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C

0.103 0.140

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

g

წონა of მოდული

750

g