IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

680

450

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

900

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

2173

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

450

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

900

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 11.3mA,V CE =V გენერალური საწარმოები ,T ჯ =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

46.6

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.31

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

3.50

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, r g = 1.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

203

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

64

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

491

n

T F

შემოდგომის დრო

79

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

16.1

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

38.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, r g = 1.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

235

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

581

n

T F

შემოდგომის დრო

109

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

27.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

55.5

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, r g = 1.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

235

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

621

n

T F

შემოდგომის დრო

119

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

30.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

61.5

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.85

2.30

V

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.90

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =25 O C

55.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

518

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 125O C

106

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

633

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

47.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 150O C

121

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

661

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

53.9

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.069

0.108

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.030

0.046

0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

350

g