IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

483

300

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 O C

1612

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

650

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =60 O C

372

300

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 O C

920

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

650

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =7.50 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

21.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.20

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

2.60

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g = 1.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

182

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

54

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

464

n

T F

შემოდგომის დრო

72

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

10.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

25.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g = 1.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

193

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

54

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

577

n

T F

შემოდგომის დრო

113

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

16.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

38.6

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g = 1.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

203

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

54

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

618

n

T F

შემოდგომის დრო

124

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

18.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

43.3

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1200

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.65

2.10

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 O C

1.65

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 O C

1.65

Q r

აღდგენილი

დავალება

V CC =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, T ჯ =25 O C

29

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

318

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.1

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V CC =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, T ჯ = 125O C

55

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

371

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

28.0

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V CC =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, T ჯ = 150O C

64

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

390

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

32.8

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.45

1.90

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.60

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

1.70

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =4.8 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

17.1

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.51

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ﹍+15V

2.88

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC = 300 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

88

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

40

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

294

n

T F

შემოდგომის დრო

43

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

1.34

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

8.60

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC = 300 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

96

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

48

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

312

n

T F

შემოდგომის დრო

60

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

1.86

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

10.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC = 300 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

104

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

48

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

318

n

T F

შემოდგომის დრო

60

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

1.98

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

11.3

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650 ვოლტი

1500

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.55

1.95

V

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 O C

1.50

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 O C

1.45

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r = 300 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 O C

14.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

209

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.74

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r = 300 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125 O C

26.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

259

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.82

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r = 300 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150 O C

30.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

275

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

7.70

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადახრა-კეისზე (თითოეულ T1, T2 IGBT)

კვანძები (D1,D2 Dio-ს მიხედვით) de)

კვანძის კედლის მიმართ (თ3 ერთეულზე), T4 IGBT)

კვანძები (D3,D4 Dio-ს მიხედვით) de)

0.093

0.158

0.163

0.299

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო T1,T2 IGBT)

კოლოფიდან თბილსასმელამდე (D1,D2 -ზე) დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო T3,T4 IGBT)

კოლოფიდან თბილსასმელამდე (D3,D4 -ზე) დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

340

g