IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

540

300

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 O C

1948

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

650

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =80 O C

415

300

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 O C

1086

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

650

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.00

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.10

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 12.0mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

100

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

21.5

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.98

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

2.80

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

250

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

90

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

550

n

T F

შემოდგომის დრო

130

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

17.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

29.5

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

300

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

100

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

650

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

25.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

44.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

320

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

100

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

680

n

T F

შემოდგომის დრო

190

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

27.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

48.5

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1200

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.65

2.10

V

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.65

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.65

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

30.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

210

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

14.0

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

56.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

270

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.0

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

62.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

290

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

28.5

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.45

1.90

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.60

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

1.70

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =4.8 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.1

5.8

6.4

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

18.5

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.55

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V ...+15V

3.22

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC = 300 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

110

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

490

n

T F

შემოდგომის დრო

50

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.13

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

9.83

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC = 300 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

120

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

60

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

520

n

T F

შემოდგომის დრო

70

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

3.10

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

12.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC = 300 ვოლტი,I C =300A, r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

130

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

60

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

530

n

T F

შემოდგომის დრო

70

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

3.30

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

12.5

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650 ვოლტი

1500

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.55

2.00

V

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.50

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.45

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r = 300 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

13.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

190

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.40

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r = 300 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

24.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

235

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.20

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r = 300 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

28.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

250

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

7.00

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადახრა-კეისზე (თითოეულ T1, T2 IGBT)

კვანძები (D1,D2 Dio-ს მიხედვით) de)

კვანძის კედლის მიმართ (თ3 ერთეულზე), T4 IGBT)

კვანძები (D3,D4 Dio-ს მიხედვით) de)

0.077

0.141

0.138

0.237

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო T1,T2 IGBT)

კოლოფიდან თბილსასმელამდე (D1,D2 -ზე) დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო T3,T4 IGBT)

კოლოფიდან თბილსასმელამდე (D3,D4 -ზე) დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

კვ/ვ

M

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.m