IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =64 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C = 1600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 1600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

2.00

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =1600A,

r გონ =1.6Ω, r გოფ =0.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 °C

601

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

225

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

830

n

T F

შემოდგომის დრო

155

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

/

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

/

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C = 1600A,

r გონ = 1.6Ω,R გოფ =0.2Ω, V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125 °C

665

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

225

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

970

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

326

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

251

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

115

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

6.03

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

5.23

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

6400

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.6

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.10

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F = 1600A

T ჯ =25 °C

1.65

2.05

V

T ჯ =125 °C

1.65

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F = 1600A,

V r =600V,

r g =0.45Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

160

μC

T ჯ =125 °C

300

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

1100

ა

T ჯ =125 °C

1400

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

72

mJ

T ჯ =125 °C

136

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

17.8

K/kW

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

31.0

K/kW

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი)

6

K/kW

წონა

წონა მოდული

1500

g