IGBT დისკრეტული

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

Vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

ა

ICM

პულსირებული კოლექციონერი დიდება  Tპ  შეზღუდული ნა Tvjmax

225

ა

პD

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tvj=175OC

852

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

VRRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვამოწოდება

1200

V

IF

დიოდი უწყვეტი წინ კუბინა

75

ა

IFM

პულსირებული კოლექციონერი დიდება  Tპ  შეზღუდული ნა Tvjmax

225

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

Tvjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

OC

Tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-55 დან +150

OC

Ts

სადნობი ტემპერატურა, 1.6mm fდან კორპუსისთვის 10ს

260

OC

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

IC=75A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tvj=25OC

1.75

2.20

V

IC=75A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tvj=150OC

2.10

IC=75A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, Tvj=175OC

2.20

Vგენერალური საწარმოები(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

IC=3.00mA,VCE=Vგენერალური საწარმოები, Tvj=25OC

5.0

5.8

6.5

V

ICES

კოლექციონერი გადაჭრილი-გათიშულიდიდება

VCE=VCES,Vგენერალური საწარმოები=0V, Tvj=25OC

250

μA

Iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

Vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემა,VCE=0V,Tvj=25OC

100

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

2.0

Ω

Cies

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=100kHz, Vგენერალური საწარმოები=0V

6.58

NF

Coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

0.40

Cres

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.19

NF

Qg

კარიბჭის გადასახადი

Vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი

0.49

μC

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=75A,    rg=4.7Ω,

Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი, Ls=40nH,

Tvj=25OC

41

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

Td(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

87

n

TF

შემოდგომის დრო

255

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

12.5

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

3.6

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=75A,    rg=4.7Ω,

Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი, Ls=40nH,

Tvj=150OC

46

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

Td(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

164

n

TF

შემოდგომის დრო

354

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

17.6

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

6.3

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=75A,    rg=4.7Ω,

Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი, Ls=40nH,

Tvj=175OC

46

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

Td(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

167

n

TF

შემოდგომის დრო

372

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

18.7

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

6.7

mJ

ISC

ს.კ. მონაცემები

Tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

Tvj=175OC,VCC=800V, VCEM≤1200V

300

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VF

დიოდი წინ ვოლტი

IF=75A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=25OC

1.75

2.20

V

IF=75A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=150OC

1.75

IF=75A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=175OC

1.75

trr

დიოდი საპირისპირო  აღდგენის დრო

Vr=600 ვოლტი,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15V, Ls=40nH,

Tvj=25OC

267

n

Qr

აღდგენილი გადასახადი

4.2

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

22

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

1.1

mJ

trr

დიოდი საპირისპირო  აღდგენის დრო

Vr=600 ვოლტი,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15V, Ls=40nH,

Tvj=150OC

432

n

Qr

აღდგენილი გადასახადი

9.80

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

33

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

2.7

mJ

trr

დიოდი საპირისპირო  აღდგენის დრო

Vr=600 ვოლტი,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15V, Ls=40nH,

Tvj=175OC

466

n

Qr

აღდგენილი გადასახადი

11.2

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

35

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.1

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)კვანძები (D-ზე)იოდი)

0.176 0.371

კვ/ვ

rthJA

ჯუნქცია-კ გარემოს

40

კვ/ვ