IGBT დისკრეტული

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

Vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25OC

@ ტC= 110OC

50

25

ა

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tპშეზღუდულია T-ის მიერjmax

100

ა

პD

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=175OC

573

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

Tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

OC

Tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურადიაპაზონი

-55 დან +150

OC

Ts

მდნობის ტემპერატურა, 1.6მმ from კეისისთვის 10ს

260

OC

M

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, ბოლტი M3

0.6

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=25A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

Tჯ=25OC

1.70

2.15

V

IC=25A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

Tჯ=125OC

1.95

IC=25A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

Tჯ=150OC

2.00

Vგენერალური საწარმოები(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

IC=0.63mA,VCE=Vგენერალური საწარმოები, Tჯ=25OC

5.2

6.0

6.8

V

ICES

კოლექციონერი გადაჭრილი-გათიშული

დიდება

VCE=VCES,Vგენერალური საწარმოები=0V,

Tჯ=25OC

1.0

mA

Iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

Vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემა,VCE=0V,Tჯ=25OC

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

0

Ω

Cies

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

Vგენერალური საწარმოები=0V

2.59

NF

Cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.07

NF

Qg

კარიბჭის გადასახადი

Vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი

0.19

μC

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=25A,   rg=20Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი, Tჯ=25OC

28

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

17

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

196

n

TF

შემოდგომის დრო

185

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

1.71

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

1.49

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=25A,   rg=20Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი, Tჯ=125OC

28

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

21

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

288

n

TF

შემოდგომის დრო

216

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.57

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

2.21

mJ

TD(ჩართული)

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=600 ვოლტი,IC=25A,   rg=20Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი, Tჯ=150OC

28

n

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

22

n

TD(გათიშული)

გამორთვა დაყოვნების დრო

309

n

TF

შემოდგომის დრო

227

n

Eჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.78

mJ

Eგათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

2.42

mJ

ISC

ს.კ. მონაცემები

Tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

Tჯ=150OC,VCC=900 ვოლტი, VCEM≤1200V

100

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

VF

დიოდი წინ

ვოლტი

IF=25A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25OC

2.20

2.65

V

IF=25A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ= 125OC

2.30

IF=25A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ= 150OC

2.25

Qr

აღდგენილი გადასახადი

Vr=600 ვოლტი,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი Tჯ=25OC

1.43

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

34

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

0.75

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

Vr=600 ვოლტი,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი Tჯ= 125OC

2.4

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

42

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

1.61

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

Vr=600 ვოლტი,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი Tჯ= 150OC

2.6

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

44

ა

Eრეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

2.10

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

0.262

0.495

კვ/ვ

rthJA

ჯუნქცია-კ გარემოს

40

კვ/ვ