IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

1522

900

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1800

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

5.24

kW

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

900

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1800

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =900A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =900A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =900A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =22.5 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.63

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

93.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

2.61

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ﹍+15V

6.99

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A, r g =1.6Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

214

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

150

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

721

n

T F

შემოდგომის დრო

206

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

76

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

128

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A, r g =1.6Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

235

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

161

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

824

n

T F

შემოდგომის დრო

412

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

107

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

165

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =900A, r g =1.6Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

235

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

161

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

876

n

T F

შემოდგომის დრო

464

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

112

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

180

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

3600

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =900A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.90

2.25

V

I F =900A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.85

I F =900A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.80

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 O C

86

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

475

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

36.1

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ = 125O C

143

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

618

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

71.3

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ = 150O C

185

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

665

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

75.1

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

18

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.30

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

28.6

51.9

K/kW

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მ4 ტერმინალის კავშირი ტორქი, მუხრუჭი M8 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

825

g