IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

1250

800

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

1600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

4166

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

800

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =800A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =800A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =125 O C

1.95

I C =800A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =32.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.13

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

79.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

2.40

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები = 15V

4.80

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g = 1.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

408

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

119

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

573

n

T F

შემოდგომის დრო

135

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

21.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

72.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g = 1.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

409

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

632

n

T F

შემოდგომის დრო

188

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

26.4

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

107

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g = 1.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

410

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

123

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

638

n

T F

შემოდგომის დრო

198

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

28.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

112

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები = 15V,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

3200

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.85

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.85

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

81.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

518

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

39.4

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

136

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

646

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

65.2

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

155

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

684

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

76.6

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.036

0.048

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.123

0.163

0.035

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მ4 ტერმინალის კავშირი ტორქი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g