IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD800HFL120C3S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

@ ტ C =25 °C

@ ტ C =80 °C

1250

ა

800

I CM(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

1600

ა

I F

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

800

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

1600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ T ჯ =150 °C

4310

W

T SC

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ T ჯ =125 °C

10

μs

T ჯ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 დან +125

°C

I 2t-მნიშვნელობა, დიოდი

V r =0V, t=10ms, T ჯ =125 °C

140

KA 2s

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

დაყენება

ტორქი

ელექტროენერგიის ტერმინალი შრიფტი:M4

ელექტროენერგიის ტერმინალი ბოლტი:M8

1.7 დან 2.3

8.0 დან 10

N.m

დაყენება შრიფტი:M6

4.25 to 5.75

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

BV CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE =V CES V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

V გენერალური საწარმოები =V გენერალური საწვავის სისტემა V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V GE(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

I C =32mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

1.8

V

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

2.0

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

Q გენერალური საწარმოები

კარიბჭის გადასახადი

I C =800A,V CE =600V,

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

11.5

μC

T d(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A,

r გონ =3.3Ω,

r გოფ =0.39Ω,

V გენერალური საწარმოები =± 15V,T ჯ =25 °C

600

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

230

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

820

n

T F

შემოდგომის დრო

150

n

T d(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A,

r გონ =3.3Ω,

r გოფ =0.39Ω,

V გენერალური საწარმოები =± 15V,T ჯ =125 °C

660

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

220

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

960

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადასვლის დანაკარგი

160

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

125

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

61.8

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

4.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

2.7

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T s C ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C ,

V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤ 1200 ვოლტი

3760

ა

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა ce, ტერმინალი ჩიპზე

T C =25 °C

0.18

M Ω

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =800A

T ჯ =25 °C

2.4

V

T ჯ =125 °C

2.2

Q r

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

I F =800A,

V r =600V,

di/dt=-3600A/μs, V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

37

μC

T ჯ =125 °C

90

I RM

დიოდის პიკი

საპირისპირო აღდგენა დიდება

T ჯ =25 °C

260

ა

T ჯ =125 °C

400

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

9

mJ

T ჯ =125 °C

24

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θJC

ჯუნქცია-კორპუსი (IGBT ნაწილი, თითო 1/2 მოდული)

0.029

კვ/ვ

r θJC

ჯუნქცია-კორპუსი (დიოდური ნაწილი, თითო 1/2 მოდული)

0.052

კვ/ვ

r θCS

კასე-დან-სანკამდე

(კონდუქტიური ცხიმი გამოყენებულია, შესაბამისად მოდული)

0.006

კვ/ვ

წონა

წონა მოდული

1500

g