IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD800HFL120C3S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

@ ტc=25°C

@ ტc=80°C

1250

a

800

iCM(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms

1600

a

if

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

800

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

1600

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა    @tჯ=150°C

4310

w

tsc

მოკლე წრე გაუძლოს დრო @ Tჯ=125°C

10

μs

tჯ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან- ნვ.+150

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 დან- ნვ.+125

°C

i2t-მნიშვნელობა, დიოდი

vr=0V, t=10ms, Tჯ=125°C

140

KA2s

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

დამონტაჟება

ბრუნვის მომენტი

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M4

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.ბოლტი:M8

1.7 დან- ნვ.2.3

8.0 დან- ნვ.10

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

4.25 to- ნვ.5.75

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

BV- ნვ.CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=VCESVგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემაVc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vGE(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=32mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

1.8

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

2.0

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

qგენერალური საწარმოები

კარიბჭის გადასახადი

ic=800A,Vc=600V,

vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი

- ნვ.

11.5

- ნვ.

μC

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,

rგონ=3.3Ω,

rგოფ=0.39Ω,

vგენერალური საწარმოები- ნვ.=±15V,Tჯ=25°C

- ნვ.

600

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

230

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

820

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

150

- ნვ.

n

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,

rგონ=3.3Ω,

rგოფ=0.39Ω,

vგენერალური საწარმოები- ნვ.=±15V,Tჯ=125°C

- ნვ.

660

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

220

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

960

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

180

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

160

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

- ნვ.

125

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

61.8

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

4.2

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.7

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,კალენდარიtჯ=125°C,

vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

3760

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

rCC+EE''

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობაc- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

tc=25°C

- ნვ.

0.18

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=800A

tჯ=25°C

- ნვ.

2.4

- ნვ.

v

tჯ=125°C

- ნვ.

2.2

- ნვ.

qr

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

- ნვ.

if=800A,

vr=600V,

di/dt=-3600A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

37

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

90

- ნვ.

- ნვ.

iRM

დიოდის პიკი

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

260

- ნვ.

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

400

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

9

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

24

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθJC

ჯუნქცია-კორპუსი (IGBT ნაწილი, თითო- ნვ.1/2 მოდული)

- ნვ.

0.029

კვ/ვ

rθJC

ჯუნქცია-კორპუსი (დიოდური ნაწილი, თითო- ნვ.1/2 მოდული)

- ნვ.

0.052

კვ/ვ

rθCS

კასე-დან-სანკამდე

(კონდუქტიური ცხიმი გამოყენებულია, შესაბამისად მოდული)

0.006

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონა- ნვ.მოდული

1500

- ნვ.

g