IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=100oc

800

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

1600

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tvj=175oc

4687

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vRRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვამოწოდება

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინ კუბინა

900

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

1800

a

iFSM

მოწოდების წინასწარი მიმდინარე  tპ=10ms  @ Tvj=125oc- ნვ.@ ტvj=175oc

2392

2448

a

i2t

i2თ-ღირებულება,tპ=10Ms@tvj=125oc@ ტvj=175oc

28608

29964

a2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tvjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tvjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი- ნვ.გამსჭვალვის ძაბვა

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tvj=25oc

- ნვ.

1.40

1.85

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tvj=125oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tvj=175oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშულიმიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tvj=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tvj=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=100kHz,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

28.4

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა- ნვ.გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.15

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი

- ნვ.

2.05

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,- ნვ.rg=0.5Ω, Ls=40nH,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tvj=25oc

- ნვ.

168

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

78

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

428

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

123

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

43.4

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

77.0

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,- ნვ.

rg=0.5Ω, Ls=40nH,

- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tvj=125oc

- ნვ.

172

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

84

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

502

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

206

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

86.3

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

99.1

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,

- ნვ.rg=0.5Ω, Ls=40nH,- ნვ.

vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tvj=175oc

- ნვ.

174

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

90

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

531

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

257

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

99.8

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

105

- ნვ.

mJ

- ნვ.

- ნვ.

isc

- ნვ.

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 8μs,vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tvj=150oC,

vCC=800V,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2600

- ნვ.

- ნვ.

a

tპ≤ 6μs,vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tvj=175oC,

vCC=800V,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2500

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

- ნვ.

vf

დიოდი წინ- ნვ.ძაბვა

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=25oc

- ნვ.

1.60

2.00

- ნვ.

v

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=125oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=175oc

- ნვ.

1.50

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=7778A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tvj=25oc

- ნვ.

47.7

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

400

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

13.6

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=7017A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tvj=125oc

- ნვ.

82.7

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

401

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

26.5

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=6380A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tvj=175oc

- ნვ.

110

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

413

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

34.8

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

kΩ

∆R/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=100- ნვ.oc,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

პ25

სიმძლავრე

გამონაბოლქვი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

ბ25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1⁄298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

ბ25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1⁄298.15K))]

- ნვ.

3411

- ნვ.

k

ბ25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1⁄298.15K))]

- ნვ.

3433

- ნვ.

k