IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD630HFL120C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C = 25°C

@ ტ C =80 °C

945

ა

630

I CM (1)

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1260

ა

I F

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

@ ტ C =80 °C

630

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარე ქირაობა

1260

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ = 150°C

4167

W

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

დაყენება ტორქი

ელექტროენერგიის ტერმინალი შრიფტი:M6

დაყენება შრიფტი:M6

2.5 დან 5.0

3.0-დან 5.0

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

I C = 16.0mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C = 630A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

2.35

2.80

V

I C = 630A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

2.73

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =630A, r g =2.5Ω,V გენერალური საწარმოები = ± 15V, T ჯ =25 °C

210

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

102

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

600

n

T F

შემოდგომის დრო

80

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

75.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

37.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =630A, r g =2.5Ω,V გენერალური საწარმოები = ± 15V, T ჯ = 125°C

230

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

103

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

705

n

T F

შემოდგომის დრო

103

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

102.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

63.0

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

29.7

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.08

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.36

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T s C ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125°C V CC =600V,

V CEM ≤ 1200 ვოლტი

1800

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის რეზისი ტანსი

0.5

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

18

nH

r CC + EE ’

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა ce, ტერმინალი ჩიპზე

T C =25 °C

0.32

M Ω

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =630A

T ჯ =25 °C

2.00

2.40

V

T ჯ = 125°C

2.20

Q r

აღდგენილი გადასახადი

I F =630A,

V r =600V,

r g = 2,5Ω,

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V

T ჯ =25 °C

80

μC

T ჯ = 125°C

130

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

336

ა

T ჯ = 125°C

433

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

24.4

mJ

T ჯ = 125°C

49.6

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IG-ის მიხედვით) BT)

0.030

კვ/ვ

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.048

კვ/ვ

r θ CS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი a პლიდი)

0.035

კვ/ვ

წონა

წონა of მოდული

340

g