IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD600SGL120C2S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=- ნვ.100°C

950

a

600

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

1200

a

if

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

600

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარექირაობა

1200

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=- ნვ.175°C

3750

w

tsc

ჟრანჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟრაჟდრო

10

μs

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

i2t-მნიშვნელობა, დიოდი

vr=0V,t=10ms,Tჯ=125°C

74000

a2s

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

- ნვ.

მონტაჟის მომენტი

სიგნალის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M4

1.1 დან- ნვ.2.0

- ნვ.

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან- ნვ.5.0

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3.0-დან- ნვ.5.0

- ნვ.

წონა

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

300

g

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=24mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

1.9

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.1

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg=3Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15- ნვ.v,Tჯ=25°C

- ნვ.

200

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

62

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

510

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg=3Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15- ნვ.v,Tჯ=25°C

- ნვ.

60

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

39

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

48

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,

rg=3Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15- ნვ.v,კალენდარიtჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

210

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

65

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

600

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

75

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

45

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

60

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V, f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

41.0

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

3.1

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.0

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, - ნვ.tჯ=125°C,

vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2600

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE- ნვ.''

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობაე,- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

tc=25°C

- ნვ.

0.18

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=600A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.8

2.4

v

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

1.9

2.5

qr

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

if=600A,

vr=600V,

di/dt=-6000A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

65

- ნვ.

μC

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

100

- ნვ.

- ნვ.

iRM

დიოდის პიკი

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

450

- ნვ.

- ნვ.

a

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

510

- ნვ.

ერეკ

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

35

- ნვ.

mJ

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

42

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

IGBT ნაწილები, PEr მოდული)

- ნვ.

0.04

°C/W

rθჟ.კ.

Junction-to-Case (Diode Part, per Moduლ)

- ნვ.

0.09

°C/W

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

0.035

- ნვ.

°C/W