IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

1090

600

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

1200

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

3947

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

600

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

1200

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

2500

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.70

2.15

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

1.90

- ნვ.

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc

5.2

5.8

6.4

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.7

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

62.1

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.74

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

4.62

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,კალენდარიrg=1.5Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

136

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

77

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

494

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

72

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

53.1

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

48.4

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,კალენდარიrg=1.5Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

179

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

77

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

628

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

113

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

70.6

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

74.2

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,კალენდარიrg=1.5Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

179

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

85

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

670

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

124

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

76.5

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

81.9

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=800V,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

2400

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.95

2.40

- ნვ.

v

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=125oc

- ნვ.

2.05

- ნვ.

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=150oc

- ნვ.

2.10

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=25oc

- ნვ.

58.9

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

276

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

20.9

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=125oc

- ნვ.

109

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

399

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

41.8

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=150oc

- ნვ.

124

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

428

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

48.5

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

kΩ

ΔR/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=- ნვ.100- ნვ.oC,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

პ25

სიმძლავრე

გამონაბოლქვი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

ბ25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

ბ25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3411

- ნვ.

k

ბ25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3433

- ნვ.

k

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.038

0.066

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.028

0.049

0.009

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5

3.0

3.0

- ნვ.

6.0

6.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

350

- ნვ.

g