IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

±30

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=90oc

873

600

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

1200

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

2727

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვამოწოდება

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინ კუბინა

600

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

1200

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.75

2.20

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

2.00

- ნვ.

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

2.05

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.7

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

55.9

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.57

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

4.20

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg=1.5Ω

,Ls=34nH, Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25oc

- ნვ.

109

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

62

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

469

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

68

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

42.5

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

46.0

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg= 1,5Ω,

- ნვ.s=34nH,კალენდარი

vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125oc

- ნვ.

143

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

62

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

597

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

107

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

56.5

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

70.5

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg= 1,5Ω,

- ნვ.s=34nH,კალენდარი

- ნვ.vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=150oc

- ნვ.

143

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

68

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

637

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

118

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

61.2

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

77.8

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=800V,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

2400

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.95

2.40

- ნვ.

v

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=125oc

- ნვ.

2.05

- ნვ.

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=150oc

- ნვ.

2.10

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V, ლs=34nH,tჯ=25oc

- ნვ.

58.9

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

276

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

20.9

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V, ლs=34nH,tჯ=125oc

- ნვ.

109

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

399

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

41.8

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V, ლs=34nH,tჯ=150oc

- ნვ.

124

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

428

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

48.5

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

- ნვ.

0.35

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.055

0.089

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითოIGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითოდიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო Mოდულის)

- ნვ.

0.032

0.052

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g