IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

925

600

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

1200

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

3000

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

600

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

1200

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

4000

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.65

2.00

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

2.00

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=100kHz,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

60.8

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.84

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

4.64

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg=1.2Ω,Ls=20nH,  Vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25oc

- ნვ.

308

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

42

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

431

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

268

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

15.7

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

51.3

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg=1.2Ω,- ნვ.s=20nH,კალენდარი

vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125oc

- ნვ.

311

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

49

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

467

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

351

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

31.1

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

69.4

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=600A,- ნვ.rg=1.2Ω,- ნვ.s=20nH,კალენდარი

- ნვ.vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=150oc

- ნვ.

313

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

51

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

475

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

365

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

34.8

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

71.1

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=800V,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

2400

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.85

2.30

- ნვ.

v

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.90

- ნვ.

if=600A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=13040A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=25oc

- ნვ.

38.1

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

524

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

34.9

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=11220A/μs,Vgე- ჟრანთ.- ნვ.15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

82.8

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

565

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

54.4

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=600 ვოლტი,If=600A,

-di/dt=11040A/μs,Vgე- ჟრანთ.- ნვ.15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

94.7

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

589

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

55.8

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდული Lead Resistaთმალალთ ნა ქპს

- ნვ.

0.35

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.050

0.080

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.033

0.052

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g