IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD600HFT170C3S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

@ ტ C =25 °C

@ ტ C =80 °C

950

ა

600

I CM(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

1200

ა

I F

დიოდის უწყვეტი წინასწარი ნაკადი nt

600

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი ნაკადი nt

1200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ T ჯ =175 °C

3571

W

T ჯ

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 დან +125

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

დაყენება

ტორქი

ელექტროენერგიის ტერმინალი შრიფტი:M4

ელექტროენერგიის ტერმინალი ბოლტი:M8

1.8 დან 2.1

8.0 დან 10

N.m

დაყენება შრიფტი:M6

4.25 to 5.75

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR) CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1700

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE =V CES V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

V გენერალური საწარმოები =V გენერალური საწვავის სისტემა V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V GE(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

I C = 24mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

2.00

2.45

V

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

2.40

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

7.0

μC

T d(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =600A, r გონ =2.4Ω,

r გოფ =3.0Ω,

V გენერალური საწარმოები = ± 15V,T ჯ =25 °C

650

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

155

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

1300

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადასვლის დანაკარგი

125

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

186

mJ

T d(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =600A, r გონ =2.4Ω,

r გოფ =3.0Ω,

V გენერალური საწარმოები = ± 15V,T ჯ =125 °C

701

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

198

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

1590

n

T F

შემოდგომის დრო

302

n

E ჩართული

ჩართვა გადასვლის დანაკარგი

186

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

219

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

52.8

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.20

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.75

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T s C ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =125 °C V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤ 1700V

2400

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.3

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.18

M Ω

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =600A

T ჯ =25 °C

1.80

2.20

V

T ჯ =125 °C

1.90

Q r

აღდგენილი გადასახადი

I F =600A,

V r =900 ვოლტი,

di/dt=-3800A/μs, V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

580

μC

T ჯ =125 °C

640

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

160

ა

T ჯ =125 °C

258

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

96

mJ

T ჯ =125 °C

171

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θJC

ჯუნქცია-კეისზე (თითოეული IGBT)

42

K/kW

r θJC

კვანძები (D-ზე) იოდი)

94

K/kW

r θCS

კასე-დან-სანკამდე

(კონდუქტიური ცხიმი გამოყენებულია, შესაბამისად მოდული)

6

K/kW

წონა

წონა მოდული

1500

g