IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD600HFT170C3S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

@ ტc=25°C

@ ტc=80°C

950

a

600

iCM(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms

1200

a

if

დიოდის უწყვეტი წინასწარი ნაკადიn

600

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი ნაკადიn

1200

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა    @tჯ=175°C

3571

w

tჯ

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 დან- ნვ.+125

°C

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

3400

v

დამონტაჟება

ბრუნვის მომენტი

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M4

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.ბოლტი:M8

1.8 დან- ნვ.2.1

8.0 დან- ნვ.10

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

4.25 to- ნვ.5.75

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR) CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1700

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=VCESVგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემაVc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vGE(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic= 24mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

5.2

5.8

6.4

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

2.00

2.45

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

2.40

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი

- ნვ.

7.0

- ნვ.

μC

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

vCC=900V,Ic=600A,- ნვ.rგონ=2.4Ω,

rგოფ=3.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25°C

- ნვ.

650

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

155

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1300

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

180

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

125

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

- ნვ.

186

- ნვ.

mJ

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

vCC=900V,Ic=600A,- ნვ.rგონ=2.4Ω,

rგოფ=3.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125°C

- ნვ.

701

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

198

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1590

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

302

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

186

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

- ნვ.

219

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

52.8

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.20

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.75

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=125°CVCC=1000 ვოლტი,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

2400

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

1.3

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

rCC+EE''

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

- ნვ.

- ნვ.

0.18

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=600A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.80

2.20

v

tჯ=125°C

- ნვ.

1.90

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

if=600A,

vr=900 ვოლტი,

di/dt=-3800A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

580

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

640

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

160

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

258

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

96

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

171

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθJC

ჯუნქცია-კეისზე (თითოეულიIGBT)

- ნვ.

42

K/kW

rθJC

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

94

K/kW

rθCS

კასე-დან-სანკამდე

(კონდუქტიური ცხიმი გამოყენებულია, შესაბამისად მოდული)

6

- ნვ.

K/kW

წონა

წონა- ნვ.მოდული

1500

- ნვ.

g