IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD450HFT120C6S_G8

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 °C

@ ტ C =100 °C

660

450

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

900

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

900

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =17 5°C

2083

W

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0-დან 6.0

3.0-დან 6.0

N.m

g

წონა of მოდული

910

g

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, r g = 1,5Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

360

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

550

n

T F

შემოდგომის დრო

146

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

11.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

48.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, r g = 1,5Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

374

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

147

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

623

n

T F

შემოდგომის დრო

178

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

17.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

64.5

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

39.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.26

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =125 °C V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1800

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.67

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =450A

T ჯ =25 °C

1.65

2.25

V

T ჯ =125 °C

1.65

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F =450A,

V r =600V,

r g = 1,5Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

41.6

μC

T ჯ =125 °C

77.5

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

241

ა

T ჯ =125 °C

325

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

23.2

mJ

T ჯ =125 °C

43.1

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

r 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგიის დაკარგვა

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

0.072

კვ/ვ

r θ ჟ.კ.

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.110

კვ/ვ

r θ CS

კასე-დან-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი) დაფარული)

0.005

კვ/ვ