IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD450HTL120C7S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა @ Tჯ=25°C

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=- ნვ.100°C

900

450

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

900

a

პtot

სრული ენერგიის გაფანტვა@ ტჯ=- ნვ.175°C

3191

w

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=18.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,tჯ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

2.00

2.45

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.20

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

4.6

- ნვ.

μC

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A, - ნვ.rg=2.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

48

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

28

- ნვ.

mJ

ეtot

საერთო- ნვ.გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

76

- ნვ.

mJ

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A, - ნვ.rg=2.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

66

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

45

- ნვ.

mJ

ეtot

საერთო- ნვ.გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

111

- ნვ.

mJ

დ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A,   rg=2.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15- ნვ.v,tჯ=25°C

- ნვ.

205

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

70

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

465

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

50

- ნვ.

n

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A,   rg=2.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15- ნვ.v,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

225

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

70

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

520

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

75

- ნვ.

n

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

31.8

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.13

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.41

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები- ნვ.≤15- ნვ.v,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°CVCC=600V, VCEM≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2250

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭის რეზისიტანსი

- ნვ.

- ნვ.

0.7

- ნვ.

Ω

სიმბოლო

აღწერა

GD450HTL120C7S

ერთეულები

vRRM

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა @ Tჯ=25°C

1200

v

if

DC წინასწარი დენი @ Tc=80°C

450

a

iFRM

განმეორებადი პიკის წინასწარი დენი tპ=1ms

900

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=450A,vგენერალური საწარმოები=0V

tჯ=25°C

- ნვ.

1.80

2.20

v

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

1.90

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600- ნვ.v,

if=450A,

rg=2.3Ω,

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

58

- ნვ.

μC

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

99

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

372

- ნვ.

a

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

492

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

22

- ნვ.

mJ

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

45

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

kΩ

∆R/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=- ნვ.100°C,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

პ25

ენერგიის დაკარგვა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

ბ25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[B25/501/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1/(298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

- ნვ.

2500

- ნვ.

v

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

rCC+EE- ნვ.''

მოდულ ჟრანთჟკა, თმნალთ ნა ჟპჟკა- ნვ.@ ტc=25°C

- ნვ.

1.1

- ნვ.

mΩ

rθჟ.კ.

კვანძები (IG-ის მიხედვით)BT)

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.047

0.078

კვ/ვ

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

- ნვ.

0.005

- ნვ.

კვ/ვ

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

- ნვ.

- ნვ.

175

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

- ნვ.

125

°C

დამონტაჟება

ბრუნვის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M5

3.0

- ნვ.

6.0

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3.0

- ნვ.

6.0

n.m

წონა

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

910

- ნვ.

g