IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

706

450

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

900

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ T- ნვ.=175oc

2542

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

450

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

900

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

4000

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.85

2.20

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

2.25

- ნვ.

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

2.35

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.18.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტჯ=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

1.67

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

54.2

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.32

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

4.24

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=450A,კალენდარიrg=3.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

179

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

105

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

680

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

375

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

116

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

113

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=450A,კალენდარიrg=3.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

208

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

120

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

784

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

613

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

152

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

171

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=450A,კალენდარიrg=3.3Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

208

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

120

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

800

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

720

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

167

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

179

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

1800

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.80

2.25

- ნვ.

v

if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

1.90

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=450A,

-di/dt=4580A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=25oc

- ნვ.

105

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

198

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

69.0

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=450A,

-di/dt=4580A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

187

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

578

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

129

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=450A,

-di/dt=4580A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

209

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

585

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

150

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

kΩ

ΔR/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=- ნვ.100- ნვ.oC,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

პ25

სიმძლავრე

გამონაბოლქვი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

ბ25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

ბ25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3411

- ნვ.

k

ბ25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3433

- ნვ.

k

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

rCC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს

- ნვ.

1.10

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.059

0.083

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.031

0.043

0.009

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5

3.0

3.0

- ნვ.

6.0

6.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

350

- ნვ.

g