GD450HFL170C2S, IGBT მოდული, STARPOWER | IGBT მოდული 1700V |

IGBT მოდული 1700V

GD450HFL170C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

1700V 450A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD450HFL170C2S

შესავალი
კონტური

შესავალი

მოკლე შესავალი

IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1700V 450A.

თვისებები

დაბალი VCE (სატ) SPT+ IGBT ტექნოლოგია
10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
VCE (სატ) with დადებითი Температура კოეფიციენტი
მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური აპლიკაციები

ინვერტორი ძრავის წამყვანი
ქარის ტურბინა
მაღალი სიმძლავრის კონვერტერი

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

სიმბოლო	აღწერა	ღირებულება	UNIT
VCES	კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა	1700	V
VGES	ღობე-გამომცემის ძაბვა	±20	V
IC	კოლექტორის დენი @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	ა
ICM	პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms	900	ა
PD	მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175oC	2678	W

დიოდი

სიმბოლო	აღწერა	ღირებულება	UNIT
V RRM	განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა	1700	V
I F	დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა	450	ა
I FM	დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms	900	ა

მოდული

სიმბოლო	აღწერა	ღირებულება	UNIT
T jmax	მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა	175	O C
T ჯოპი	მუშაობის კვანძის ტემპერატურა	-40-დან +150-მდე	O C
T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო	შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი	-40-დან +125-მდე	O C
V ISO	იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ	4000	V

IGBT მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	გამოცდის პირობები	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
VCE (სატ)	შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	V
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
VGE ((თ)	ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	V
ICES	კოლექტორის გათიშვა დიდება	VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC			5.0	mA
IGES	გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	nA
RGint	შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა			0.3		Ω
კაი	შეყვანის სიმძლავრე	VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V		30.0		NF
კრეს	საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა	VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V		1.08		NF
სათაო ოფისი	კარიბჭის გადასახადი	VGE=-15...+15V		2.70		μC
თსს	ჩართვის შეფერხების დრო	VCC=900V,IC=450A,RG=3.3Ω,VGE=±15V,Tj=25oC		504		n
ტრ	ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ			183		n
ტდ (((გამოხურული)	გამორთვის დაგვიანების დრო			616		n
tf	შემოდგომის დრო			188		n
ეონ	ჩართვის გადართვა დანარჩენი			126		mJ
ეოფ	გამორთვის გადართვა დანარჩენი			89		mJ
თსს	ჩართვის შეფერხების დრო	VCC=900V,IC=450A,RG=3.3Ω,VGE=±15V,Tj=125oC		506		n
ტრ	ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ			194		n
ტდ (((გამოხურული)	გამორთვის დაგვიანების დრო			704		n
tf	შემოდგომის დრო			352		n
ეონ	ჩართვის გადართვა დანარჩენი			162		mJ
ეოფ	გამორთვის გადართვა დანარჩენი			124		mJ
თსს	ჩართვის შეფერხების დრო	VCC=900V,IC=450A,RG=3.3Ω,VGE=±15V,Tj=150oC		510		n
ტრ	ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ			198		n
ტდ (((გამოხურული)	გამორთვის დაგვიანების დრო			727		n
tf	შემოდგომის დრო			429		n
ეონ	ჩართვის გადართვა დანარჩენი			174		mJ
ეოფ	გამორთვის გადართვა დანარჩენი			132		mJ
ISC	ს.კ. მონაცემები	tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		ა

დიოდი მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	გამოცდის პირობები	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
V F	დიოდი წინ ვოლტი	I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C		1.87	2.32	V
		I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C		2.00
		I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C		2.05
Q r	აღდგენილი გადასახადი	V r =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 O C		107		μC
I RM	პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი			519		ა
E რეკ	საპირისპირო აღდგენა ენერგია			75		mJ
Q r	აღდგენილი გადასახადი	V r =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ = 125O C		159		μC
I RM	პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი			597		ა
E რეკ	საპირისპირო აღდგენა ენერგია			113		mJ
Q r	აღდგენილი გადასახადი	V r =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ = 150O C		170		μC
I RM	პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი			611		ა
E რეკ	საპირისპირო აღდგენა ენერგია			119		mJ

მოდული მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
L CE	ცარიელი ინდუქტენტობა			20	nH
r CC+EE	მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე		0.35		mΩ
r thJC	კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ) კვანძები (D-ზე) იოდი)			0.056 0.112	კვ/ვ
r thCH	კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)		0.105 0.210 0.035		კვ/ვ
M	ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
g	წონა of მოდული		300		g