IGBT მოდული，1700V 450A
მახასიათებლები
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
- ნვ.
IGBT
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
VCES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1700 | v |
VGES | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | v |
IC | კოლექტორის დენი @ TC=25oC @ TC=95oC | 683 450 | a |
ICM | პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms | 900 | a |
PD | მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175oC | 2678 | w |
- ნვ.
დიოდი
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
vRRM | განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა | 1700 | v |
if | დიოდი უწყვეტი წინქირაობა | 450 | a |
iFM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms | 900 | a |
მოდული
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
tjmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 175 | oc |
tჯოპი | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +150-მდე | oc |
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი | -40-დან +125-მდე | oc |
vიზო | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ | 4000 | v |
- ნვ.
IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. - ნვ. VCE (სატ) | - ნვ. - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC | - ნვ. | 2.00 | 2.45 | - ნვ. - ნვ. v |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC | - ნვ. | 2.40 | - ნვ. | |||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC | - ნვ. | 2.50 | - ნვ. | |||
VGE ((თ) | ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.4 | 6.1 | 7.4 | v |
ICES | კოლექტორის გათიშვა მიმდინარე | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC | - ნვ. | - ნვ. | 5.0 | mA |
IGES | გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | - ნვ. | - ნვ. | 400 | nA |
RGint | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა | - ნვ. | - ნვ. | 0.3 | - ნვ. | Ω |
კაი | შეყვანის სიმძლავრე | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V | - ნვ. | 30.0 | - ნვ. | NF |
კრეს | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა | - ნვ. | 1.08 | - ნვ. | NF | |
სათაო ოფისი | კარიბჭის გადასახადი | VGE=-15...+15V | - ნვ. | 2.70 | - ნვ. | μC |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC | - ნვ. | 504 | - ნვ. | n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 183 | - ნვ. | n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო | - ნვ. | 616 | - ნვ. | n | |
ტფ | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 188 | - ნვ. | n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 126 | - ნვ. | mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 89 | - ნვ. | mJ | |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC | - ნვ. | 506 | - ნვ. | n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 194 | - ნვ. | n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო | - ნვ. | 704 | - ნვ. | n | |
ტფ | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 352 | - ნვ. | n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 162 | - ნვ. | mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 124 | - ნვ. | mJ | |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC | - ნვ. | 510 | - ნვ. | n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 198 | - ნვ. | n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო | - ნვ. | 727 | - ნვ. | n | |
ტფ | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 429 | - ნვ. | n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 174 | - ნვ. | mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 132 | - ნვ. | mJ | |
- ნვ. ISC | - ნვ. ს.კ. მონაცემები | tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V | - ნვ. | - ნვ. 1440 | - ნვ. | - ნვ. a |
დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. vf | დიოდი წინ ძაბვა | if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc | - ნვ. | 1.87 | 2.32 | - ნვ. v |
if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 2.00 | - ნვ. | |||
if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 2.05 | - ნვ. | |||
qr | აღდგენილი გადასახადი | vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი- ნვ.tჯ=25oc | - ნვ. | 107 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 519 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 75 | - ნვ. | mJ | |
qr | აღდგენილი გადასახადი | vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 159 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 597 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 113 | - ნვ. | mJ | |
qr | აღდგენილი გადასახადი | vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 170 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 611 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 119 | - ნვ. | mJ |
მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ.c | ცარიელი ინდუქტენტობა | - ნვ. | - ნვ. | 20 | nH |
rCC+EE | მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე | - ნვ. | 0.35 | - ნვ. | mΩ |
rthJC | კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ) კვანძები (D-ზე)იოდი) | - ნვ. | - ნვ. | 0.056 0.112 | კვ/ვ |
- ნვ. rthCH | კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული) | - ნვ. | 0.105 0.210 0.035 | - ნვ. | კვ/ვ |
m | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6 | 2.5 3.0 | - ნვ. | 5.0 5.0 | n.m |
g | წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული | - ნვ. | 300 | - ნვ. | g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
