IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD400SGL120C2S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=- ნვ.100°C

650

a

400

icm(1)

პულსირებული კოლექტორი კურეn

800

a

if

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარექირაობა

800

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=- ნვ.175°C

3000

w

tsc

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ Tჯ=125°C

10

μs

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

tჯ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

i2t-მნიშვნელობა, დიოდი

vr=0V, t=10ms, Tჯ=125°C

27500

a2s

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

მონტაჟის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან- ნვ.5

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3- ნვ.ბარემ- ნვ.6

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

BVCES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭე-გამომტანი

გაჟონვის დენი

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

კარიბჭე-გამომტანი

საფეხური ძაბვა

ic=8mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

კოლექტორი

გამომცემლის გაჯერება

ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

1.9

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.1

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,

rg=4Ω, Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=- ნვ.±15V,

- ნვ.

100

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

60

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

tჯ=25°C

- ნვ.

420

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,

rg=4Ω, Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=- ნვ.±15V,

tჯ=25°C

- ნვ.

60

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა

გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

33

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

შეწყვეტა- ნვ ჱნამ.გათიშული

გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

42

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,

rg=4Ω, Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=- ნვ.±15V,

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

120

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

60

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

490

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

75

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა

გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

35

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

შეწყვეტა- ნვ ჱნამ.გათიშული

გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

46

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc- ნვ.=25V, f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები- ნვ.=0V

- ნვ.

30

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

4

- ნვ.

NF

cres

უკან

გადაცემის ტევადობა

- ნვ.

3

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs, Vგენერალური საწარმოები=15- ნვ.v,

tჯ=125°C, VCC=900 ვოლტი,

vCEM≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

1900

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭე

წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

- ნვ.

rCC+EE- ნვ.''

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

- ნვ.

tc=25°C

- ნვ.

- ნვ.

0.18

- ნვ.

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A

tჯ=25°C

- ნვ.

2.1

2.2

v

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.2

2.3

qr

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

if=400A,

vr=600V,

di/dt=-4000A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

40

- ნვ.

μC

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

48

- ნვ.

- ნვ.

iRM

დიოდის პიკი

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

320

- ნვ.

- ნვ.

a

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

400

- ნვ.

ერეკ

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

12

- ნვ.

mJ

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

20

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

IGBT ნაწილები, PEr მოდული)

- ნვ.

0.05

კვ/ვ

rθჟ.კ.

შეხება (დიოდების ნაწილი, თითოეული მოდულის მიხედვით)ე)

- ნვ.

0.09

კვ/ვ

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

300

- ნვ.

g