IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD400SGK120C2S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

სიმბოლო

აღწერა

GD400SGK120C2S

ერთეულები

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20V

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=80°C

550

a

400

iCM(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

800

a

if

დიოდის უწყვეტი წინასწარი ნაკადიn

400

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი ნაკადიn

800

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @tჯ=150°C

2500

w

tsc

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ Tჯ=125°C

10

μs

tჯ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან- ნვ.+150

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 დან- ნვ.+125

°C

i2t-მნიშვნელობა, დიოდი

vr=0V, t=10ms, Tჯ=125°C

27500

a2s

vიზო

იზოლაციის ძაბვა    RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

დამონტაჟება

ბრუნვის მომენტი

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M4

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M6

1.1 დან- ნვ.2.0

2.5 დან- ნვ.5.0

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3.0-დან- ნვ.6.0

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

BVCES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=VCESVგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემაVc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vGE(th)

კარიბჭე-გამომტანი

საფეხური ძაბვა

ic=5.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,

tჯ=25°C

4.5

5.1

5.5

v

- ნვ.

vCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15V,Tჯ=25°C

- ნვ.

2.2

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=125°C

- ნვ.

2.5

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,

- ნვ.

258

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

rg=3.3Ω, Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=±15V,

- ნვ.

110

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

tჯ= 25°C

- ნვ.

285

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,

rg=3.3Ω, Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=±15V,- ნვ.tჯ= 25°C

- ნვ.

70

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

45

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

26

- ნვ.

mJ

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,

rg=3.3Ω, Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=±15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

260

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

120

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

300

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

80

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

60

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

40

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc- ნვ.=25V, f=1.0MHz,

vგენერალური საწარმოები- ნვ.=0V

- ნვ.

74.7

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

3.3

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.64

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs, Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=125°C, VCC=900 ვოლტი,

vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2400

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

16

- ნვ.

nH

- ნვ.

rCC+EE''

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,- ნვ.ტერმინალი- ნვ.ბარემ- ნვ.ჩიპი

- ნვ.

tc=25°C

- ნვ.

- ნვ.

0.50

- ნვ.

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A

tჯ=25°C

- ნვ.

2.0

2.3

v

tჯ=125°C

- ნვ.

2.2

2.5

qr

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

- ნვ.

if=400A,

vr=600V,

di/dt=-4100A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

31

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

66

- ნვ.

- ნვ.

iRM

დიოდის პიკი

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

300

- ნვ.

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

410

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

12

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

28

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθJC

Junction-to-Case (IGBT ნაწილი, თითო- ნვ.1/2 მოდული)

- ნვ.

0.05

კვ/ვ

rθJC

ჯუნქცია-კორპუსი (დიოდის ნაწილი, თითო- ნვ.1/2 მოდული)

- ნვ.

0.08

კვ/ვ

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონა- ნვ.მოდული

340

- ნვ.

g