IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD400HFU120C2S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=80°C

660

400

a

icm(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

800

a

if

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

a

iFM(1)

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარექირაობა

800

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=- ნვ.150°C

2660

w

tsc

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ Tჯ=125°C

10

μs

tჯ

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

მონტაჟის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან- ნვ.5.0

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3.0-დან- ნვ.6.0

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=4.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

4.4

4.9

6.0

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

3.10

3.60

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

3.45

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,rg=2.2Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15- ნვ.v,tჯ=25°C

- ნვ.

680

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

142

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

638

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

99

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

19.0

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

32.5

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,rg=2.2Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15- ნვ.v,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

690

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

146

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

669

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

108

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

26.1

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

36.7

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=30V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

33.7

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.99

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.21

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ- ნვ.≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15- ნვ.v,- ნვ.tჯ=25°C,

vCC=600V,- ნვ.vCEM≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2600

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭის რეზისიტანსი

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

18

nH

rCC+EE- ნვ.''

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობაc- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

tc=25°C

- ნვ.

0.32

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.95

2.35

v

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

1.85

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

if=400A,

vr=600- ნვ.v,

di/dt=-2850A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

24.1

- ნვ.

μC

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

44.3

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

220

- ნვ.

a

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

295

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

13.9

- ნვ.

mJ

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

24.8

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

კვანძები (IG-ის მიხედვით)BT)

- ნვ.

0.047

კვ/ვ

rθჟ.კ.

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

0.096

კვ/ვ

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

g

წონა- ნვ.მოდული

350

- ნვ.

g