IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD400HFT170C2SN

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C =80 °C

700

400

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 Ms

800

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

@ ტ C =80 °C

400

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 75°C

2632

W

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

დაყენება ტორქი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

დამონტაჟების შრიფტი:M6

2.5 დან 5.0

3.0-დან 5.0

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1700

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 16.0mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

2.00

2.45

V

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

2.40

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =400A, r g =3.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

281

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

79

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

795

n

T F

შემოდგომის დრო

120

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

104

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

86

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =400A, r g =3.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

299

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

102

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

998

n

T F

შემოდგომის დრო

202

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

136

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

124

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

35.3

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.46

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.17

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC = 1000 V, V CEM ≤1700V

1600

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.9

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =400A

T ჯ =25 °C

1.80

2.20

V

T ჯ =125 °C

1.90

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F =400A,

V r =900 ვოლტი,

r g =3.6Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

100

μC

T ჯ =125 °C

170

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

440

ა

T ჯ =125 °C

480

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

54.0

mJ

T ჯ =125 °C

95.0

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

0.057

კვ/ვ

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.110

კვ/ვ

r θ CS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი a პლიდი)

0.035

კვ/ვ

წონა

წონა მოდული

300

g