IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD400HFT170C2SN

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორი მიმდინარე @tc=25°C

@ ტc=80°C

700

400

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1Ms

800

a

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

@ ტc=80°C

400

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

800

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175°C

2632

w

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

4000

v

დამონტაჟება- ნვ.ბრუნვის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

დამონტაჟების შრიფტი:M6

2.5 დან- ნვ.5.0

3.0-დან- ნვ.5.0

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1700

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.16.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,tჯ=25°C

5.2

5.8

6.4

v

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

2.00

2.45

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

2.40

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=400A,კალენდარიrg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

281

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

79

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

795

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

120

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

104

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

86

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=400A,კალენდარიrg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

299

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

102

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

998

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

202

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

136

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

124

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

35.3

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.46

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.17

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15- ნვ.v,

tჯ=125°C,vCC=- ნვ.1000- ნვ.v, VCEM≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

1600

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

1.9

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

- ნვ.

rCC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.35

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.80

2.20

v

tჯ=125°C

- ნვ.

1.90

- ნვ.

qr

აღდგენილი

დატვირთვა

if=400A,

vr=900 ვოლტი,

rg=3.6Ω,

vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

100

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

170

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

440

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

480

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

54.0

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

95.0

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

- ნვ.

0.057

კვ/ვ

rθჟ.კ.

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

0.110

კვ/ვ

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონაკალენდარიმოდული

300

- ნვ.

g