IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD400HFT120C2S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=80°C

600

a

400

iCM(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

800

a

if

დიოდის უწყვეტი წინასწარი დენი    @ ტc=80°C

400

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი    tპ=1ms

800

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა    @tჯ=150°C

2119

w

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 დან- ნვ.+125

°C

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

დამონტაჟება

ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M6

2.5 დან- ნვ.5.0

n.m

ბრუნვის მომენტი

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3.0-დან- ნვ.5.0

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=VCESVგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემაVc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vGE(th)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=16mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

1.70

2.15

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

2.00

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,rg=1.8Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

250

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

39

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

500

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

100

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

17.0

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

42.0

- ნვ.

mJ

td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,rg=1.8Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15V,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

299

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

46

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

605

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

155

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

25.1

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

61.9

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

28.8

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.51

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.31

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,კალენდარიtჯ=125°C,

vCC=600V,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

1600

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

1.9

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE''

მოდული Lead Resistance,- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

tc=25°C

- ნვ.

0.35

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.65

2.15

v

tჯ=125°C

- ნვ.

1.65

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

if=400A,

vr=600V,

di/dt=-6000A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

44

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

78

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

490

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

555

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

19.0

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

35.1

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθJC

გადასასვლელი- ნვ ჱნამ.ბარემ- ნვ ჱნამ.შემთხვევა(perIGBT)

- ნვ.

0.059

კვ/ვ

rθJC

ჯუნქცია-კეისზე (თითოეულიდიოდი)

- ნვ.

0.106

კვ/ვ

rθCS

კეისიდან-ჩასადების (კონდუქტიური ცხიმიგამოყენებული)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონა- ნვ.მოდული

300

- ნვ.

g