IGBT მოდული，1700V 400A
მახასიათებლები
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
- ნვ.
IGBT
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
vCES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1700 | v |
vგენერალური საწვავის სისტემა | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | v |
ic | კოლექტორის დენი @ Tc=25oc @ ტc=- ნვ.100oc | 645 400 | a |
icm | პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms | 800 | a |
პდ | მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc | 2631 | w |
დიოდი
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
vRRM | განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა | 1700 | v |
if | დიოდი უწყვეტი წინქირაობა | 400 | a |
iFM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms | 800 | a |
მოდული
- ნვ.
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
tjmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 175 | oc |
tჯოპი | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +150-მდე | oc |
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი | -40-დან +125-მდე | oc |
vიზო | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1წთ | 4000 | v |
IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. - ნვ. vCE ((sat) | - ნვ. - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc | - ნვ. | 2.00 | 2.45 | - ნვ. - ნვ. v |
ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc | - ნვ. | 2.40 | - ნვ. | |||
ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc | - ნვ. | 2.50 | - ნვ. | |||
vგენერალური საწარმოები(თ) | ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა | ic=- ნვ.16.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტჯ=25oc | 5.4 | 6.2 | 7.4 | v |
iCES | კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული მიმდინარე | vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V, tჯ=25oc | - ნვ. | - ნვ. | 5.0 | mA |
iგენერალური საწვავის სისტემა | კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე | vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc | - ნვ. | - ნვ. | 400 | nA |
rგინტი | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური | - ნვ. | - ნვ. | 0.5 | - ნვ. | Ω |
cივ | შეყვანის სიმძლავრე | vc=25V,f=1MHz, vგენერალური საწარმოები=0V | - ნვ. | 27.0 | - ნვ. | NF |
cres | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა | - ნვ. | 0.92 | - ნვ. | NF | |
qg | კარიბჭის გადასახადი | vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V | - ნვ. | 3.08 | - ნვ. | μC |
tდ(თეთრი) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=400A,კალენდარიrg=2.2Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc | - ნვ. | 367 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 112 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 523 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 236 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა | - ნვ. | 42.5 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 76.7 | - ნვ. | mJ | |
tდ(თეთრი) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=400A,კალენდარიrg=2.2Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 375 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 116 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 599 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 458 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა | - ნვ. | 58.7 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 109 | - ნვ. | mJ | |
tდ(თეთრი) | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=400A,კალენდარიrg=2.2Ω,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 377 | - ნვ. | n |
tr | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 120 | - ნვ. | n | |
tდ(გათიშული) | გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო | - ნვ. | 611 | - ნვ. | n | |
tf | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 560 | - ნვ. | n | |
ეთეთრი | ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა | - ნვ. | 73.0 | - ნვ. | mJ | |
ეგათიშული | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 118 | - ნვ. | mJ | |
- ნვ. isc | - ნვ. ს.კ. მონაცემები | tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, tჯ=150oC,VCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V | - ნვ. | - ნვ. 1200 | - ნვ. | - ნვ. a |
დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. vf | დიოდი წინ ძაბვა | if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc | - ნვ. | 1.80 | 2.25 | - ნვ. v |
if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 1.90 | - ნვ. | |||
if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 1.95 | - ნვ. | |||
qr | აღდგენილი გადასახადი | vCC=900V,If=400A, -di/dt=2900A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=25oc | - ნვ. | 101 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 488 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 71.1 | - ნვ. | mJ | |
qr | აღდგენილი გადასახადი | vCC=900V,If=400A, -di/dt=2900A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc | - ნვ. | 150 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 562 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 106 | - ნვ. | mJ | |
qr | აღდგენილი გადასახადი | vCC=900V,If=400A, -di/dt=2900A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc | - ნვ. | 160 | - ნვ. | μC |
iRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 575 | - ნვ. | a | |
ერეკ | საპირისპირო აღდგენაენერგია | - ნვ. | 112 | - ნვ. | mJ |
მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ.c | ცარიელი ინდუქტენტობა | - ნვ. | - ნვ. | 20 | nH |
rCC+EE | მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს | - ნვ. | 0.35 | - ნვ. | mΩ |
rthJC | კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ) კვანძები (D-ზე)იოდი) | - ნვ. | - ნვ. | 0.057 0.110 | კვ/ვ |
- ნვ. rthCH | კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული) | - ნვ. | 0.106 0.205 0.035 | - ნვ. | კვ/ვ |
m | ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6 | 2.5 3.0 | - ნვ. | 5.0 5.0 | n.m |
g | წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული | - ნვ. | 300 | - ნვ. | g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
