IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD3600SGT170C4S

ერთეულები

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის მიმდინარე@ TC=25℃

კოლექტორის მიმდინარე@ TC=80℃

5200

ა

3600

ICM(1)

პულსირებული კოლექტორის მიმდინარე tp= 1ms

7200

ა

IF

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

3600

ა

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

7200

ა

PD

მაქსიმალური ენერგიის დაკარგვა @ Tj= 175℃

19.7

kW

ტაი

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

დაყენება

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8

1.8 დან 2.1

8.0 დან 10

N.m

ტორქი

დამონტაჟების შრიფტი:M6

4.25 დან 5.75

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

Tj=25°C

1700

V

ICES

კოლექტორის გამორთული დენი

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

VGE ((თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (სატ)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

VGE=- 15...+15V

42.0

μC

RGint

შიდა კარიბჭის რეზისტორი

Tj=25°C

0.5

Ω

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

205

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1510

n

tf

შემოდგომის დრო

185

n

ეონ

ჩართვის დაკარგვა

498

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

1055

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

225

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

1800

n

tf

შემოდგომის დრო

325

n

ეონ

ჩართვის დაკარგვა

746

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

1451

mJ

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

13.2

NF

კრეს

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

10.5

NF

ISC

ს.კ. მონაცემები

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

ა

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

10

nH

RCC’+EE ’

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.12

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

VF

დიოდი წინ

ვოლტი

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

აღდგენილი გადასახადი

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

Tj=25°C

2800

ა

Tj= 125℃

3300

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

Tj=25°C

590

mJ

Tj= 125℃

1051