IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

vმტვრი

ერთეულები

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

IC

კოლექტორის მიმდინარე- ნვ.@ TC=25℃

კოლექტორის მიმდინარე- ნვ.@ TC=80°C

5200

a

3600

ICM(1)

პულსირებული კოლექტორის მიმდინარე    tp= 1ms

7200

a

თუ

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

3600

a

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმავალი დენი @ TC=80°C

7200

a

PD

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა    @ Tj=175℃

20

კვ

ტაი

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

დამონტაჟება

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.8 დან 2.1

- ნვ.

ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8

8.0 დან 10

n.m

ბრუნვის მომენტი

დამონტაჟების შრიფტი:M6

4.25 დან 5.75

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

V(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

Tj=25°C

1700

- ნვ.

- ნვ.

v

ICES

კოლექტორის გამორთული დენი

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

IGES

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

VGE ((თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

IC=145mA, VCE=VGE, Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

- ნვ.

- ნვ.

VCE (სატ)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

- ნვ.

2.00

2.45

- ნვ.

- ნვ.

v

IC=3600A,VGE=15V,Tj=125°C

- ნვ.

2.40

2.85

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

VGE=-15...+15V

- ნვ.

42.0

- ნვ.

μC

RGint

შიდა კარიბჭის რეზისტორი

Tj=25°C

- ნვ.

0.4

- ნვ.

Ω

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

- ნვ.

730

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

205

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

1510

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

185

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის დაკარგვა

- ნვ.

498

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

- ნვ.

1055

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

- ნვ.

785

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

225

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

1800

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

325

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის დაკარგვა

- ნვ.

746

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

- ნვ.

1451

- ნვ.

mJ

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

- ნვ.

317

- ნვ.

NF

Coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

13.2

- ნვ.

NF

კრეს

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

10.5

- ნვ.

NF

- ნვ.

ISC

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125°C,VCC=1000V,VCEM ≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

14000

- ნვ.

- ნვ.

a

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

10

- ნვ.

nH

RCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

- ნვ.

- ნვ.

0.12

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=3600A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.80

2.20

v

tჯ=125°C

- ნვ.

1.90

2.30

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

if=3600A,

vr=900 ვოლტი,

rგონ=0.4Ω,

vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

836

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

1451

- ნვ.

iRM

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

2800

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

3300

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

590

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

1051

- ნვ.