ყველა კატეგორია

IGBT მოდული 1700V

IGBT მოდული 1700V

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / IGBT მოდული / IGBT მოდული 1700V

GD3600SGL170C4S, IGBT მოდული, 1700V 3600A

IGBT მოდული,1700V 3600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD3600SGL170C4S
  • შესავალი
  • კონტური
შესავალი

მახასიათებლები

  • დაბალი VCE(sat)  SPT+ IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური- ნვ.განაცხადები

  • მაღალი სიმძლავრის კონვერტერი
  • მოტორის დრაივერი
  • ქარის ტურბინა

აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

IGBT

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25oC

კოლექტორის მიმდინარე- ნვ.@ TC=65oC

4446

3600

a

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

7200

a

PD

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tj=175oC

15.3

კვ

დიოდი

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

v

თუ

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

3600

a

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

7200

a

მოდული

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

ტჟოპ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

VCE (სატ)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

- ნვ.

2.00

2.45

- ნვ.

- ნვ.

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

- ნვ.

2.40

- ნვ.

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

- ნვ.

2.50

- ნვ.

VGE ((თ)

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

კოლექტორის გათიშვა

მიმდინარე

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

IGES

გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

RGint

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.53

- ნვ.

Ω

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

- ნვ.

240

- ნვ.

NF

კრეს

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

8.64

- ნვ.

NF

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

VGE=+15…+15V

- ნვ.

21.6

- ნვ.

μC

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=25oC

- ნვ.

660

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

280

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

1600

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

175

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

650

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

1100

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=125oC

- ნვ.

740

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

290

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

1800

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

315

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

800

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

1500

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=150oC

- ნვ.

780

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

295

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

1850

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

395

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

900

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

1600

- ნვ.

mJ

- ნვ.

ISC

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

14

- ნვ.

- ნვ.

KA

დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

VF

დიოდი წინ

ძაბვა

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

- ნვ.

1.80

2.25

- ნვ.

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

- ნვ.

1.95

- ნვ.

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

- ნვ.

1.90

- ნვ.

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

- ნვ.

730

- ნვ.

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

2600

- ნვ.

a

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

- ნვ.

490

- ნვ.

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

- ნვ.

1350

- ნვ.

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

3150

- ნვ.

a

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

- ნვ.

950

- ნვ.

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

- ნვ.

1550

- ნვ.

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

3300

- ნვ.

a

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

- ნვ.

1100

- ნვ.

mJ

მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

6.0

- ნვ.

nH

RCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

- ნვ.

0.12

- ნვ.

RthJC

შეხება კასესთან (IGBT-ის მიხედვით)

კოლოფიდან კოლოფამდე (დიოდების მიხედვით)

- ნვ.

- ნვ.

9.8

16.3

K/kW

- ნვ.

RthCH

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (IGBT-ის მიხედვით)

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით)

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით)

- ნვ.

6.5

10.7

4.0

- ნვ.

K/kW

- ნვ.

m

ტერმინალის კავშირი ტორქი, ხრახნი M4 ტერმინალის კავშირი ტორქი, ხრახნი M8 მონტაჟის ტორქი, ხრახნი M6

1.8

8.0

4.25

- ნვ.

2.1

10

5.75

- ნვ.

n.m

g

მოდულის წონა

- ნვ.

2300

- ნვ.

g

- ნვ.

კონტური

image(36fb074d08).png

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტირება

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000