IGBT მოდული,1700V 3600A
მახასიათებლები
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
IGBT
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
VCES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1700 | v |
VGES | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | v |
IC | კოლექტორის დენი @ TC=25oC კოლექტორის მიმდინარე- ნვ.@ TC=65oC | 4446 3600 | a |
ICM | პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms | 7200 | a |
PD | მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tj=175oC | 15.3 | კვ |
დიოდი
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
VRRM | განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა | 1700 | v |
თუ | დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი | 3600 | a |
თუმ | დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms | 7200 | a |
მოდული
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | ერთეული |
Tjmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 175 | oc |
ტჟოპ | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +150-მდე | oc |
TSTG | შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი | -40-დან +125-მდე | oc |
VISO | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | v |
IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. - ნვ. VCE (სატ) | - ნვ. - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC | - ნვ. | 2.00 | 2.45 | - ნვ. - ნვ. v |
IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC | - ნვ. | 2.40 | - ნვ. | |||
IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC | - ნვ. | 2.50 | - ნვ. | |||
VGE ((თ) | ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა | IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.4 | 6.2 | 7.4 | v |
ICES | კოლექტორის გათიშვა მიმდინარე | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC | - ნვ. | - ნვ. | 5.0 | mA |
IGES | გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | - ნვ. | - ნვ. | 400 | nA |
RGint | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა | - ნვ. | - ნვ. | 0.53 | - ნვ. | Ω |
კაი | შეყვანის სიმძლავრე | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V | - ნვ. | 240 | - ნვ. | NF |
კრეს | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა | - ნვ. | 8.64 | - ნვ. | NF | |
სათაო ოფისი | კარიბჭის გადასახადი | VGE=+15…+15V | - ნვ. | 21.6 | - ნვ. | μC |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC | - ნვ. | 660 | - ნვ. | n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 280 | - ნვ. | n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო | - ნვ. | 1600 | - ნვ. | n | |
ტფ | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 175 | - ნვ. | n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 650 | - ნვ. | mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 1100 | - ნვ. | mJ | |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC | - ნვ. | 740 | - ნვ. | n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 290 | - ნვ. | n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო | - ნვ. | 1800 | - ნვ. | n | |
ტფ | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 315 | - ნვ. | n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 800 | - ნვ. | mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 1500 | - ნვ. | mJ | |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო | - ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC | - ნვ. | 780 | - ნვ. | n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ | - ნვ. | 295 | - ნვ. | n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო | - ნვ. | 1850 | - ნვ. | n | |
ტფ | შემოდგომის დრო | - ნვ. | 395 | - ნვ. | n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 900 | - ნვ. | mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დაკარგვა | - ნვ. | 1600 | - ნვ. | mJ | |
- ნვ. ISC | - ნვ. ს.კ. მონაცემები | tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V | - ნვ. | - ნვ. 14 | - ნვ. | - ნვ. KA |
დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
- ნვ. VF | დიოდი წინ ძაბვა | IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC | - ნვ. | 1.80 | 2.25 | - ნვ. v |
IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC | - ნვ. | 1.95 | - ნვ. | |||
IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC | - ნვ. | 1.90 | - ნვ. | |||
Qr | აღდგენილი გადასახადი | VR=900V,IF=3600A, -di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC | - ნვ. | 730 | - ნვ. | μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 2600 | - ნვ. | a | |
ერეკი | ენერგიის საპირისპირო აღდგენა | - ნვ. | 490 | - ნვ. | mJ | |
Qr | აღდგენილი გადასახადი | VR=900V,IF=3600A, -di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC | - ნვ. | 1350 | - ნვ. | μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 3150 | - ნვ. | a | |
ერეკი | ენერგიის საპირისპირო აღდგენა | - ნვ. | 950 | - ნვ. | mJ | |
Qr | აღდგენილი გადასახადი | VR=900V,IF=3600A, -di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC | - ნვ. | 1550 | - ნვ. | μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი | - ნვ. | 3300 | - ნვ. | a | |
ერეკი | ენერგიის საპირისპირო აღდგენა | - ნვ. | 1100 | - ნვ. | mJ |
მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქს. | ერთეული |
LCE | ცარიელი ინდუქტენტობა | - ნვ. | 6.0 | - ნვ. | nH |
RCC+EE | მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე | - ნვ. | 0.12 | - ნვ. | mΩ |
RthJC | შეხება კასესთან (IGBT-ის მიხედვით) კოლოფიდან კოლოფამდე (დიოდების მიხედვით) | - ნვ. | - ნვ. | 9.8 16.3 | K/kW |
- ნვ. RthCH | კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (IGBT-ის მიხედვით) კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით) კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით) | - ნვ. | 6.5 10.7 4.0 | - ნვ. | K/kW |
- ნვ. m | ტერმინალის კავშირი ტორქი, ხრახნი M4 ტერმინალის კავშირი ტორქი, ხრახნი M8 მონტაჟის ტორქი, ხრახნი M6 | 1.8 8.0 4.25 | - ნვ. | 2.1 10 5.75 | - ნვ. n.m |
g | მოდულის წონა | - ნვ. | 2300 | - ნვ. | g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.