IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD300SGU120C2S

ერთეულები

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25°C

@ TC=80°C

440

300

a

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

600

a

თუ

დიოდის მუდმივი წინასწარი დენი @ TC=80°C

300

a

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

600

a

PD

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tj=150°C

2272

w

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

მონტაჟის მომენტი

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.1 დან 2.0

- ნვ.

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

n.m

დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0-დან 5.0-მდე

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

V(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

Tj=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

ICES

კოლექტორის გათიშვა

მიმდინარე

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

IGES

გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

VGE ((თ)

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

IC=3.0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

v

- ნვ.

VCE (სატ)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C

- ნვ.

3.10

3.55

- ნვ.

v

IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C

- ნვ.

3.45

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=300A,კალენდარიrg=3.3Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

662

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

142

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

633

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

117

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

19.7

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

22.4

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=300A,კალენდარიrg=3.3Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C

- ნვ.

660

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

143

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

665

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

137

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

24.9

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

28.4

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=30V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

25.3

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.25

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.91

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15- ნვ.v,

tჯ=125°C,vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

2550

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

- ნვ.

rCC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.18

- ნვ.

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=300A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.82

2.25

v

tჯ=125°C

- ნვ.

1.95

- ნვ.

qr

აღდგენილი

დატვირთვა

if=300A,

vr=600V,

rg=3.3Ω,

vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

29.5

- ნვ.

μC

tჯ=125°C

- ნვ.

42.3

- ნვ.

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

tჯ=25°C

- ნვ.

210

- ნვ.

a

tჯ=125°C

- ნვ.

272

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

16.4

- ნვ.

mJ

tჯ=125°C

- ნვ.

22.7

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

- ნვ.

0.055

კვ/ვ

rθჟ.კ.

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

0.092

კვ/ვ

rθCS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია)ტყუილი)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონაკალენდარიმოდული

300

- ნვ.

g