IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

520

300

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

1807

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 12.0mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

28.6

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.92

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი

1.92

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =2.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

331

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

105

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

521

n

T F

შემოდგომის დრო

124

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

6.30

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

27.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =2.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

327

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

110

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

575

n

T F

შემოდგომის დრო

166

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

10.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

34.6

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =2.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

318

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

111

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

586

n

T F

შემოდგომის დრო

185

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

11.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

37.0

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1200

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.85

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.85

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=2900A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =25 O C

29.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

236

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

14.8

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=2900A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 125O C

52.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

302

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.4

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =300A,

-di/dt=2900A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 150O C

60.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

322

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

30.4

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.083

0.111

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.061

0.082

0.035

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g