IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

520

300

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

600

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

1807

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

300

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

600

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1წთ

4000

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=300A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.70

2.15

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=300A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

ic=300A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

2.00

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.12.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტჯ=25oc

5.0

5.6

6.5

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=30V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

28.6

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.92

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი

- ნვ.

1.92

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=300A,კალენდარიrg=2.2Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

331

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

105

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

521

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

124

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

6.30

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

27.3

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=300A,კალენდარიrg=2.2Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

327

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

110

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

575

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

166

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

10.6

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

34.6

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=300A,კალენდარიrg=2.2Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

318

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

111

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

586

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

185

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

11.5

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

37.0

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

1200

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=300A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.80

2.25

- ნვ.

v

if=300A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.85

- ნვ.

if=300A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

1.85

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=600 ვოლტი,If=300A,

-di/dt=2900A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=25oc

- ნვ.

29.3

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

236

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

14.8

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=600 ვოლტი,If=300A,

-di/dt=2900A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

52.8

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

302

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

26.4

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=600 ვოლტი,If=300A,

-di/dt=2900A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

60.8

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

322

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

30.4

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს

- ნვ.

0.18

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.083

0.111

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.061

0.082

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g