IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =90 O C

430

300

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 O C

1851

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

2.40

2.85

V

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.80

I C =300A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.90

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 12.0mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.3

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

20.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.72

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

1.8

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

464

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

157

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

421

n

T F

შემოდგომის დრო

290

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

108

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

55.2

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

483

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

161

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

465

n

T F

შემოდგომის დრო

538

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

128

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

83.7

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

492

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

165

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

483

n

T F

შემოდგომის დრო

747

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

141

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

92.1

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ = 150O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

960

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 O C

1.95

I F =300A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 O C

1.90

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

70

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

209

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

40.7

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C

108

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

238

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

65.1

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 O C

123

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

253

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

71.6

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.25

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.081

0.138

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.032

0.054

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g