ყველა კატეგორია

IGBT მოდული 1200V

IGBT მოდული 1200V

მთავარი გვერდი /  პროდუქცია /  IGBT მოდული /  IGBT მოდული 1200V

GD200MLT120C2S,3-level ,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A, 3-საფერო

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200MLT120C2S
  • შესავალი
  • კონტური
  • ექვივალენტური სქემა
შესავალი

მოკლე შესავალი

IGBT მოდული , 3-საფერო ,შექმნილი STARPOWER-ის მიერ. 1200V 200ა.

თვისებები

  • დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • დაბალი გადართვის დანაკარგი
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური გამოყენებები

  • მზის ენერგია
  • UPS
  • 3-საფერო აპლიკაციები

IGBT T 1 T2 T3 T4 T C =25 °C თუკი სხვანაირად მონიშნული

მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები

სიმბოლო

აღწერა

GD200MLT120C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა @ ტ =25 °C

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა @ ტ =25 °C

±20

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C =80 °C

360

200

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t =1 Ms

400

tot

საერთო ენერგიის დაკარგვა @ T =175 °C

1163

W

გარეთ მახასიათებლები

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T =25 °C

400

nA

მახასიათებლების შესახებ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T =125 °C

2.00

მახასიათებლების შეცვლა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T =25 °C

248

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

88

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

540

n

T F

შემოდგომის დრო

131

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

9.85

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

22.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T = 125°C

298

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

99

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

645

n

T F

შემოდგომის დრო

178

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

15.1

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

34.9

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

14.4

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

0.75

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.65

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, V გენერალური საწარმოები =-15 +15V

1.90

μC

r გინტი

შიდა კარიბჭის რეზისტორი

3.8

Ω

I SC

ს.კ. მონაცემები

T ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T =125 °C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

დიოდი D 1 D2 D3 D4 T C =25 °C თუკი სხვანაირად მონიშნული

მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები

სიმბოლო

აღწერა

GD200MLT120C2S

ერთეულები

V RRM

განმეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა @ T =25 °C

1200

V

I F

DC წინააღმდეგი ტითების მიმდევრობა T C =8 0°C

200

I FRM

განმეორებითი პიკი წინასწარი დენი t =1ms

400

მახასიათებლები ღირებულებები

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A

T =25 °C

1.65

2.10

V

T =125 °C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

I F =200A,

V r =600V,

r g =3.6Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T =25 °C

20.0

μC

T =125 °C

26.1

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T =25 °C

151

T =125 °C

190

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T =25 °C

9.20

mJ

T =125 °C

17.1

დიოდი D 5 D6 T C =25 °C თუკი სხვანაირად მონიშნული

მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები

სიმბოლო

აღწერა

GD200MLT120C2S

ერთეულები

V RRM

განმეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა @ T =25 °C

1200

V

I F

DC წინააღმდეგი ტითების მიმდევრობა T C =8 0°C

200

I FRM

განმეორებითი პიკი წინასწარი დენი t =1ms

400

მახასიათებლები ღირებულებები

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A,

V გენერალური საწარმოები =0V

T =25 °C

1.65

2.10

V

T =125 °C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

I F =200A,

V r =600V,

r g =3.6Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T =25 °C

20.0

μC

T =125 °C

26.1

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T =25 °C

151

T =125 °C

190

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T =25 °C

9.20

mJ

T =125 °C

17.1

IGBT მოდული

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

r θ ჟ.კ.

კავშირი-დასახლე (IGBT-თი T1 T2 T3 T4 თი) კავშირი-დასახლე (დიოდისთვის D1 D2 D3 D4) კავშირი-დასახლე (დიოდისთვის D5 D6)

0.129 0.237 0.232

კვ/ვ

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი)

0.035

კვ/ვ

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40

150

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40

125

°C

დაყენება ტორქი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

დამონტაჟების შრიფტი:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

წონა

წონა მოდული

340

g

კონტური

ექვივალენტური სქემა

ფასის შესახებ უფასოდ

ჩვენი მწარმოელი (*)(*) გაკეთებს დაგეკავშირდებათ ახლაই.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
הודLOCKS📐
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

ფასის შესახებ

ფასის შესახებ უფასოდ

ჩვენი მწარმოელი (*)(*) გაკეთებს დაგეკავშირდებათ ახლაই.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
הודLOCKS📐
0/1000