IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

310

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

1034

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

18.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.56

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი

1.20

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.0Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

213

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

64

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

280

n

T F

შემოდგომის დრო

180

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

4.10

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

16.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.0Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

285

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

78

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

363

n

T F

შემოდგომის დრო

278

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

7.40

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

23.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =3.0Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

293

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

81

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

374

n

T F

შემოდგომის დრო

327

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

8.70

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

25.2

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.65

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =25 O C

17.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

245

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.00

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 125O C

32.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

260

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

14.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 150O C

37.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

265

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

15.3

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C = 100O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგიის დაკარგვა

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

2.20

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.145

0.243

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.064

0.107

0.02

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

200

g