IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD200HFT120C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C = 100°C

335

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 Ms

400

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

@ ტ C = 100°C

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 75°C

1154

W

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

დაყენება ტორქი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

დამონტაჟების შრიფტი:M6

2.5 დან 5.0

3.0-დან 5.0

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

5.0

5.9

6.5

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

2.00

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =2.4Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

155

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

42

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

440

n

T F

შემოდგომის დრო

110

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

9.65

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

14.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =2.4Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

175

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

46

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

550

n

T F

შემოდგომის დრო

165

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

14.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

19.2

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

12.5

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

0.82

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.70

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

980

ა

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, V გენერალური საწარმოები =0-15V

1.3

μC

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A

T ჯ =25 °C

1.65

2.10

V

T ჯ =125 °C

1.65

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F =200A,

V r =600V,

r g =2.4Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

20.0

μC

T ჯ =125 °C

26.1

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

151

ა

T ჯ =125 °C

190

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

8.50

mJ

T ჯ =125 °C

15.0